[参考译文] ISO5852SDWEVM-017：栅极驱动器的隔离式额定功率

您好 Howard、

正如 Don Dapkus 提到的、驱动 MOSFET 或 IGBT 是基于输入电容的充电和放电。 该电容通常在数据表中通过 Qg 与 Vgs 的关系图进行定义。 由于负载的容性性质、最大驱动电流仅在充电/放电周期开始时发生、当栅极输入电容完全充电/放电时、栅极电流降至零。 因此、SN6505应该只能提供平均驱动功率、而开关期间的峰值功率由驱动轨上的去耦电容器提供、如您的示例所示、电压可能为12V 和-5V。

为了确定所需的平均驱动功率、我们考虑了数据表图 Qg 中在驱动电压、驱动电压 VDR 和开关频率 fsw 下的总电荷。 假设 Qg = 100nC、VDR =(12+5) V 或17V 且 Fsw = 100kHz。 这样得出的值为100nC x 17V x 100kHz = 170mW。 请注意、该平均功率分布在驱动器 IC 和栅极电阻器之间。 SN6505的功耗取决于其在平均驱动功率下的效率。 假设效率为70%、SN6505的耗散功率将为170mW x (1/0.7 - 1)=大约73mW。 大多数驱动器数据表显示了如何计算每个组件中的平均驱动功率耗散。

为了处理峰值驱动功率、需要选择的去耦电容器至少比驱动功率器件的输入电容大一个阶数。 这假设去耦电容器的纹波将为10%或更低。

此致、

Rais

您好 Howard、

通过非无功电路从电压源对电容器充电、通过非无功电路对电容器放电始终是能量损耗的过程。 在充电期间、能量量被定义为 Qdv。 对于线性电容器 Q = CV。 因此，能量量是 DE = C*V*dv。 集成后、电容器的能量为 E=C*V*V/2、或者 E=Q*V/2。 同时，从电压源为电容器充电的总能量为 Q*V 因此、对于线性电容器、总能量的一半用于存储在电容器中、而另一半用于电压源和电容器之间的非无功电路中。 放电期间、存储在电容器中的能量是非无功电路中的损耗。 因此，充电和放电周期的能量损耗为 Q*V，而功率损耗将为 Q*V*Fsw。

仅当使用额外的电感时、电容器的理想无损充电和放电情况才会出现。 在本例中、它成为电容器的谐振充电和放电。

当使用简单驱动器 IC 来驱动功率器件时、情况并非如此。

如果您有其他问题、请直接与我联系。 提供的文本手册详细介绍了使用电容器时的电路行为。

此致、

Rais