[参考译文] UCC27714：双脉冲测试时高侧 MOSFET 异常关闭

我还要求客户在发生事件时测试 HB 引脚：

因为我在数据表中的 Page25上找到了有关输出逻辑问题的一些说明。

在整个双脉冲测试中、低侧 MOS 测试都是正常的。

此外、我还要求客户更改一个较低的引导电容器1uF、以便再次进行测试。 仍然出现高侧 MOS 测试问题。  我的问题是：

为什么第二个脉冲 HO 在 MOSFET 导通时下降？ 如何解决此问题？

我检查了电路板上的 PCB 布线、发现 高侧驱动布线很长。 我不确定它是否与其 PCB 迹线相关。 但是、如果是、您对此有什么建议吗？

请帮我查看此问题吗？ 感谢您的任何反馈。

谢谢  

Vincent

HB 引脚波形：

CH1：VDS；CH2：ID；CH3：HB-VSS；CH4：HO 引脚；

脉冲：

高：3us；低：3us；

你(们)好 Richard

感谢您对此问题的支持。 请查看下面我的问题：

(1)"如果 UCC27714的输出振铃低于接地值、则可能会担心保持正确的输出状态。 我看到 MOSFET 的栅源极有一个二极管、看起来靠近 MOSFET、HO 到 HB 的二极管该器件应尽可能靠近 UCC27714 HO 和 HB 引脚。 为了限制 HO 至 HB 的负电压、在 HO 至 HS 之间添加尽可能靠近 IC 引脚的肖特基二极管。 "

Vincent：我将尝试 通过跳线将二极管靠近 IC 放置。 没关系吗？

(2)"为了减少 MOSFET 导通期间的振铃、可以尝试一些方法。 增加 R27、导通栅极电阻、这将有助于降低 MOSFET Vgs 的 dV/dt 和 Vds。 此外、这种较高的电阻会降低栅极驱动器环路从驱动器到 MOSFET 栅极和源极的 Q 值。"

Vincent：我将尝试在 R27上使用不同的值。 但由于驱动电流限制：(15V-0.6V)/10ohm=1.4A。 我将尝试10欧 姆和15欧姆。 没关系吗？ 或者 R27上的最大值是多少？

(3)"我看到 MOSFET 栅源极上的电容器占位符。 在栅源极上安装电容也有两种作用、当 MOSFET 开关和寄生漏极到栅极米勒电荷传输到栅极端子时、额外的电容会导致 Vgs 偏差更小。 米勒电荷传输很可能会启动栅极驱动波形上的振铃。 此外、电容还将用于减缓 Vgs dV/dt、从而降低 Vds dV/dt、从而降低米勒电容传输到栅极的峰值电流。"

Vincent：我将电容器放置在栅极和源极之间。 但是、您能告诉我们如何选择电容值吗？ 计算该值的具体方法是什么？ 我认为它应该接近 MOSFET 的寄生电容。  IPZA60R037P7数据表：CISS=5243pF；CRSs=1599；SO CGS=5243pF-1599pF=3.6nF... 因此、我将尝试在其上使用1nF~10nF 的电容。 没关系吗？

谢谢

Vincent

你(们)好 Richard

我已经尝试了所有方法、但仍然发生了异常关闭。  我 通过跳线将二极管靠近 IC 放置；R27=10欧姆(15欧姆更差)；CGS=10nF；我还要求客户捕获一些波形：   

CH1：VDS (黄色)；CH3：VDD-VSS (蓝色)；CH4：Ho-HS

放大：

我们可以看到、对于 VDD-VSS、一些环将降至4V 以下。 我怀疑是因为 VDD UVLO。 有时、脉冲将正常、但 VDD-VSS 的振铃也会降至4V 以下。 因此、它可能与 VDD 电压无关。

因此、我想知道 是什么导致 UCC27714的输出低。 过大的环会产生什么影响？ UVLO 或其他一些产品？  

感谢您的反馈。

谢谢

Vincent