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[参考译文] BQ24650:低侧 FET 关闭、高侧 FET 50ns 脉冲、无充电电流

Guru**** 2562120 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24650, BQ24650EVM-639

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/743321/bq24650-low-side-fet-off-hi-side-fet-50ns-pulse-no-charge-current

器件型号:BQ24650

您好!

我已经使用 BQ24650实施了太阳能充电器、但我无法使该器件从太阳能输入中汲取电流并为电池充电、尽管所有测量和指示看起来都正常。

我的设置和原理图与 BQ24650数据表中的典型应用非常相似:

16.8V 锂离子电池组(当前已放电至13.8V)

VFB = 1.7V。

TS = 1.92V

MPPSET 配置为18V。

使用实验室电源(16-24V)的输入电压(VCC)

STAT_1 =开

STAT_2 =关闭

TERM_EN 拉至 VREF

Vref = 3.3V、rgen = 6V

我已经对高电平和低电平 FET 栅极信号进行了范围划分。 高侧 FET 上有一组常规的大约5倍50ns 脉冲、尽管 Stat_1处于打开状态、但低侧 FET 绝不会打开。

我已确认所有其他输入电压、并确信我的器件未处于睡眠状态。

我唯一可以看到的是 BQ24650数据表中"逐周期充电欠流"的第8.3.11节。

是否有人对可能出现的问题有任何建议?

谢谢

太棒了!

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    Stomp、

    您提到您的设置和原理图与 BQ24650数据表中的典型应用非常相似。 您的原理图与 BQ24650数据表中的典型应用之间是否存在差异?

    谢谢、

    宁。
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    您好、Ning、

    我在典型应用电路方面有四个不同之处:

    我使用的是 TI CSD19537 MOSFET
    2.我在 R_SR 的输出端有一个正向二极管、通向电池组。 在任何情况下、VFB 电路都位于二极管的电池组侧。
    3.我有一个从 D2阴极进入 BTST 引脚的小型2.2R 电阻器。
    4. VCC 引脚上没有反极性保护 D1。

    移除二极管对电路的运行没有影响。

    有什么想法吗?
    谢谢。
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    您好!

    请注意、所选 MOSFET 需要足够快地导通。 有关详细信息、请参阅 e2e.ti.com/.../730482和 SiR426DP 规格。

    谢谢、

    宁。
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    您好、Ning、

    我已购买 BQ24650EVM-639。

    我已将 EVM 上的电阻器 R13替换为510K、并将 EVM 上的 R15替换为75K。  这将为我的电池提供大约16.38V 的充电电压。

    我已连接 CE 跳线、已将 TERM_EN 跳线 JP3设置为 EN、也已设置 JP2。

    我通过 J1以18V 电压为 EVM 供电、并将电池连接到 J2上的 V_OUT、电压为13.8V。

    测量 TP1时、我的条件与硬件上的条件完全相同。 (尽管 EVM 有很多振铃)!

    它是否只是 MPPSET 不正确的情况? 如果 MPPSET 低于设定点阈值、BQ24650是否会对 MOSFET 产生脉冲?

    谢谢

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    您好、Ning、

    我还将我的 TI CSD19537 MOSFET 与 EVM 上安装的 Si7288器件进行了比较。

    根据可用信息、CSD19537看起来是一款出色的器件、具有较低的 VG (th)、较低的 RDS_ON、较高的电流和电压以及更快的导通时间。

    不过、感谢您指出网页链接!

    谢谢。
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    您好!

    您的太阳能电池板的 MPPT 电压和 VOC (开路电压)是多少? BQ24650 EVM 假定 MPPT=18V。

    请参阅 EVM 用户指南的第3页、如果太阳能电池板或其他输入源无法提供系统和 bq24650充电器的总功率、则输入电压会下降。 一旦在 MPPSET 引脚上感测到的电压降至1.2V 以下、充电器通过减少充电电流来保持输入电压。

    谢谢、

    宁。
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    您好!

    我将通过高达22V 的实验室电源为 EVM 和我的硬件供电。

    我的问题实际上是、上部 MOSFET 为什么以几百毫秒的间隔进行脉冲?

    我在数据表中找不到任何对此的引用。 这是否是器件的预期操作?

    谢谢。

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    您好!

    请按照 BQ24650 EVM 用户指南进行评估。

    谢谢!
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