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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/748276/lm25069-hot-swap-design
尊敬的 TI：
关于热插拔设计、 MOS 布局可以如下所示？
谢谢
John
尊敬的 John：
从感测电阻(Rs)到所有 MOSFET 的电阻路径不对称。 Rs 和 FET 之间路径中的电阻不同。 这将导致电流共享失衡。 尽管由于 Rs 和 FET 足够接近、差异可能会很小。
我可以看到的一个问题可能是 底部感应电阻器附近的区域可能存在电流拥挤。 这将导致更多热量、最终可能导致 FET 在该区域附近消耗更少的电流。
您能不能告诉我们您的设计规格：输出电容、输入电压、最大负载电流、工作温度最大值。
看起来您是在高负载电流下工作。 为什么不考虑 LM25066 、它与 低成本外部二极管相连、用于监控 外部 FET 的温度。
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此致、
Praveen
