你好
当占空比约为0.1%时、我的客户的电路板仍然存在随机闪烁问题。
我曾建议客户使用一个电阻器来分流 FET 源(SO、或更高的分流 FET Rdson)、和
它看起来很有效 。
因此、客户希望获得您的建议、以便在下一步设计(用于试运行)中继续进行。
请您就我的4个问题提供建议吗？
客户电路板上的问题：
尽管 L 增加到330uF (理论上、每个客户250uF 就足够了)
和 MAXOFF 经过优化、但占空比为0.1%(分流 FET 为99.9%导通)、
客户 看到随机闪烁。
时间
输入电压变化
环境温度已更改
验证
因此，我一直在使用 TPS92518EVM，并验证了客户的问题。 (附加 ppt 文件上的第2页~)
我已经验证过客户的说法。
问题1.
如果占空比略有变化或 VIN 发生变化或环境温度发生变化、则闪烁。
它似乎每占空比约为0.5%，就会出现“甜蜜点”。
但是、您知道这种现象的机制吗？
我‘ve 发现另一篇文章、如下所示。
您是否同意这是机制？
>我认为主要问题是同时打开分流调光晶体管和高输入电压时的干扰
>在分流调光时输出电压较低。
>干扰会随调节周期中分流 DIM 晶体管的打开时间而有所变化。
>这可能是随机性的来源。
>最糟糕的情况是高侧晶体管导通并且处于导通时间的末尾。
>此时电流通过电感器的电流已达到最大值，HG 引脚低侧和高侧之间的延迟很短
>完全关闭，这意味着当分流晶体管激活时，它仍然可以导通。
>这与电感器中的高电流一起会导致短暂的高峰值电流，从而干扰调节
>并直接启动新的充电周期。
>
>当输入电压较高且输出电压较低时，并联调光会产生最短导通时间，
>驱动器将其限制为最小值，但时间仍然过长，导致流经电感器的峰值电流过高。
>我将尝试将一个电阻器与分流晶体管串联，以限制峰值电流。
问题2.
您是否有电感器的最大磁体(uH)标准？
我们知道数据表中的 eq (41)是最小值。
客户认为尽可能大的结果似乎不错(适合随机闪烁)，除了
尺寸/成本、但您怎么看？
问题3.
您是否同意我的纠正措施、即在分流 FET 源中添加电阻器以实现更大的 VLED？
与中的 FET 相比、客户使用的分流 FET 具有20m Ω 的极低 Rdson
EVM 用户指南：FCD5N60TN 0.86 Ω)
问题4.
您认为飞轮 二极管 SL310A 没有问题吗？
goodarksemi.com/.../SL32A-SL310A.pdf
当客户向飞轮二极管添加高温时、闪烁增加。
感谢您的合作。
最好的格子
