This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM5176:需要有关4V IN 12V OUT 6A 的帮助

Guru**** 2392905 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5176, LM3478, TPS43060, TPS61240, TPS60151

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/745580/lm5176-need-help-about-4v-in-12v-out-6a

器件型号:LM5176
主题中讨论的其他器件: LM3478TPS43060TPS61240TPS60151

您好、TI 系列。

我正在尝试使用6A 升压转换器找到4V 输入12V 输出。

最佳解决方案似乎是 LM5176。  

还有其他解决方案可以支持我的输出吗?

谢谢你。

Erman

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Erman、

    感谢您在设计中考虑 TI 产品。 负载电流需要同步升压(SYNC 表示同步整流器、wrt 二极管整流器)。
    您可以查看 LM25122或 TPS43060、但这两款器件至少需要4.5V 才能确保成功启动。 您需要添加 TPS61240等小型升压转换器(集成 FET)或 TPS60151等电荷泵来生成5V 电压并为 VCC 供电。 如果您不需要额外的小型升压或电荷泵、可以考虑使用 LM3478/81来实现非同步升压、该升压可通过2.97V 输入启动、但使用二极管整流器。

    谢谢、
    应用工程学 Yohao Xi
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    感谢您的反馈。

    我在反馈前后设计了 TPS43060、我尝试了5V - 4.5V 和4V 输入。 看起来都很稳定。

    我的系统从5.1V 开始、在负载增加 Vcc 后、最小值为4.5V。

    我的演示板频率设置为550kHZ。 我将使用200kHz 重新设计它、工作温度更低。

    对于 TPS43060、我只想问 MOSFET。   

    在数据表中:“平均栅极驱动电流必须小于50mA (最小值) VCC 电源电流限制。”

    根据等式25,我是否可以使用2x 95nC MOSFET (7.5VGS 下 Rdson 小于1Mohm)?  IGD=(95 +95)*200kHz=38mA

    感谢你的帮助。

    Erman

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Erman、

    请注意、高侧 FET 驱动器也来自 VCC。 自举二极管将电流输送到自举电容器。 如果您使用两个低侧但一个高侧、则仍会超过50mA。 请考虑具有较小栅极电荷的 FET。 对于您的设计(12V 输出电压)、您可以选择20V 或30V FET、例如 TICSD16415Q5或 Vishay SiSA40DN。


    谢谢、
    Youhao
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    感谢您的快速重播。

    我附加了我的2个原理图。

    基于 TPS43060、我正在进行两个设计、一个是4.5V - 5V 至12V 6A、另一个是9V - 18V 至20V 5A。 两种设计都是200kHz。

    我基于 TI Webench 制作了原理图。

    与 Q3或 Q5并联的"如果您使用两个低侧但一个高侧"、您的意思是什么? 基于1个低侧和1个高侧 MOSFET 的通用设计。

    谢谢你。

    Erman

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Erman、

    我的意思是、Q3或 Q5可以是并联 FET 来共享功率耗散、如果死区时间合适、Q2或 Q4可以是单个 FET。

    请注意、如果您并联 MOSFET、请在每个 MOSFET 上添加1欧姆栅极电阻器、以避免两者之间出现栅极振荡。

    谢谢、
    应用工程学 Yohao Xi
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Youhao、

    万分感谢。

    现在一切都非常清晰。


    谨致问候。
    Erman Arslan