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器件型号：LM5060-Q1 主题中讨论的其他器件： LM74700-Q1、 LM5069
您好！
我们正在寻找能够控制高侧背对背 N-MOSFET 电源开关的 IC。
在所考虑的应用中、最多有5个独立控制的开关。 集成电荷泵的 IC 是首选、但集成度较低的解决方案也是可接受的(例如、在外部电荷泵上继电器的电路)。
重要方面：
- 成本、包括所需的外部组件。
- 开关必须至少承受32V 电压、持续300ms。
- 反极性保护。
- 处于导通状态的 GS 电压约为10V。
- 故障模式–一个通道中损坏的组件(例如 MOSFET)是否会影响其他通道的运行？
- 如果 IC 中存在过载保护功能、则可以禁用/配置开关侧的过载保护。
- EMC 稳健性。
- 禁用状态下的电流消耗。
LM5060-Q1看上去很有希望、但需要使用外部元件来实现我们应用中不需要的功能(UVLO、OVP、VDS 故障检测)。 可访问内部电荷泵的 IC 会更好、因此可在电路中重复使用电荷泵电压来驱动其他开关(如果禁用开关时电荷泵保持激活状态)。 在某些预期的应用中、不希望 OUT 引脚在关断状态下进行负载放电。
LM74700-Q1似乎无法通过 EN 引脚提供关断功能。 看起来不可能实现背靠背 MOSFET 布置–阳极引脚为栅极电压提供基准和为电荷泵提供电源。
您能推荐更好的选择吗？
关于没有集成电荷泵的高侧驱动器：TI 能否提供一个 IC、在高侧背靠背排列(电平转换器)中充当电荷泵和 MOSFET 栅极之间的开关？
感谢你的帮助。
TI 客户
