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[参考译文] LMG5200：突破频率限制(后续)

admin
Guru**** 2499595 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG5200, LMG1210

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/728947/lmg5200-pushing-frequency-limit-follow-up

器件型号：LMG5200
主题中讨论的其他器件： LMG1210

大家好、

我们使用 LMG5200构建了测试板、并尝试验证该组件是否可用于10MHz 以上的频率。 在测量过程中、我们意识到对于高达10MHz 的频率、一切看起来都像预期的那样、但如果我们达到大约11MHz、实际上每秒仅进行一次滑动。 因此、如果我们将目标频率设置为13.56MHz (以及足够低的电压和电流以避免器件发生危险发热)、则只能看到每秒的脉冲、从而产生6.78MHz 的频率。 我们知道"可改变输出 = 10ns 的最小输入脉冲宽度"、但在10MHz 和11MHz 频率下、脉冲显示正确、它们看起来是相同的、但只有每秒的脉冲完全下降、这表明不是"最小输入" 脉冲宽度"是限制因素。  

LMG5200的逻辑是否具有内置的"频率锁定"功能、或者我们是否缺少其他功能？

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    TI__Guru**** 2499595 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Christian：

    感谢后续行动。 没有内部"频率锁定"。 压降脉冲可能是自举电路引起的。 根据在10MHz 以上运行条件下的底部开关导通时间，自举电容在一个周期内无法充电到足够高的电平，这将触发 UVLO 保护。 一个建议是测量 HB 和 HS 电压电平、并查看其是否低于所需的阈值电压。

    此致、
    Rui
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    TI__Guru**** 2499595 points
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    感谢您的快速回复。 我将在明天检查电压、但考虑到"自举二极管反向恢复时间"为40ns (典型值)、您很可能是正确的！ 问题是、如果阈值、容量和恢复时间足够低的旁路二极管可以"解决"此问题。
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    TI__Guru**** 2499595 points
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    您回答正确！ 这很有可能。 肖特基二极管可能会对这种情况有所帮助。 祝您在测试中一切顺利！
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    TI__Guru**** 2499595 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    有关旁路二极管的一些建议：
    这种方法有助于提高频率、但会禁用自举电容过压保护功能。 在死区时间变长的某些情况下、自举电容电压可能会充电至高于 eGAN 器件的最大可耐受 Vgs。 请在继续操作时注意。
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    TI__Guru**** 2499595 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的观看。 实际上、由于本论坛中的主题"LMG5200：上 FET 为自举 C 充电的最短关断时间"、我们已经意识到了这一点。 因此、我们在 VCC 和 HB 之间添加了一个外部自举二极管、在 HS 和 HB 之间添加了一个齐纳二极管。 此外、我们将自举电容从100nF 降低到10nF。

    遗憾的是、它似乎没有改变行为。 好消息是、由于在此论坛中发布了另一篇文章、我们意识到、较低的占空比可能是一个原因、在缩短死区时间后、如果 VIN 足够低、频率高于10MHz 的信号是相当稳定的。 但是、一旦 VIN 升至超过特定限值、输出并不总是"达到" VIN 电平、而是卡在中间。 在某些情况下、我们甚至观察到 VIN 上升到快速时的不稳定性、我们将其解释为表明我们的电流设计必须使用较长的传输线路。 此外、如果频率提升至13.56MHz、则消耗的电流会变得非常高。 我们移除了额外的外部二极管、观察到的行为是相同的。 经过一些测试后、我们意外烧毁了组件。

    TL；DR：使用组件确实可以达到此频率、但损耗/发热变得非常具有挑战性、VIN 电平似乎会对性能产生巨大影响。 将占空比降低到某个阈值(30%ish)以下导致出现第一个描述的"下降"这一事实甚至可能是由于我们使用3.3 CMOS 逻辑。

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    TI__Guru**** 2499595 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您分享您的见解和 测试更新！ 有关 VIN 不稳定性问题的一些评论。 不确定它是否与接地弹跳相关。 有关说明、请参阅 LMG1210数据表第9节。 此外、对于此应用、您可能希望尝试使用其他供应商提供的具有分立式 GaN 的 LMG1210。

    http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lmg1210.pdf