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[参考译文] BQ24780S:在无电池时打开充电降压 H 栅的机制。

Guru**** 2551600 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24780S

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/746204/bq24780s-the-mechanism-about-opening-the-h-gate-of-charging-buck-when-there-is-no-battery

器件型号:BQ24780S

我们首次在没有 baterry 的情况下插入适配器。  IC 将驱动降压转换器一段时间。

在此期间、我发现 H 栅的波形与,相的波形相同。波形图 如下所示。

如所示,输出正常。  

那么、H 栅是如何打开的。

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    这是否在 TI 的 BQ24780SEVM 上? 我假设 LG 为 LODRV、HG 为 HIDRV。 如果是、LODRV 将打开低侧 NFET、因此我们希望 HIDRV 为低电平以确保无击穿。 当 LODRV 打开时、我们希望 HIDRV 足够高、以便导通高侧 NFET。 从 d/s 页的方框图可以看出、HIDRV 栅极驱动器的接地为 PH、VDD 为 BTST、与 PH 耦合。 因此、HIDRV 将会耦合一些 PH 波形。 由于负载较低、由于未连接电池、BTST 未充电。 加载后、降压转换器以 CCM 模式运行、脉冲频率更高。 这会导致 BTST 电容器充电、并且 HIDRV 高于 PH。
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    您好、Jeff

    此 IC 是 bq24780S。

    如图所示。 电池输出正常、它告诉我们 H 栅已打开。

    但在图中、我们可以看到 HIDRV 与相位相同。

    如果 HIDRV 不能高于相位、那么 H 栅是如何打开的。

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    您好!

    我注意到、HIDRV 至少比输入电压高 Vgs (th)。 我无法解释内部 FET 是如何导通的。 它是否损坏? 电压 BTST 是多少?
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    您好:

    IC 很好, 不是单一现象, 我可以在任何电路上重复。 您也可以 自己尝试。

    为了更好地说明这一现象,有几张新的图片。  

    从这张图片中可以看到、H 栅与相位相同、电池节点的电压(没有电池)良好。 我不明白为什么当 H 栅极看起来无法打开时、电池节点上会有电压。

    下图显示了一个周期的波形、我们可以看到  H 栅电压确实不高于相位。

    下图显示了 BTST 的波形,我们可以看到它与 H-GATE 相同。

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    您正在运行的测试具有接近0的电流。  降压稳压器仅在将电池路径的输出电容器充电至寄存器0x15中设置的充电电压(在我的示波器捕获中为8.4V)后、才会传递足够的电流来平衡电池路径的输出电容器上的泄漏。  当输出电容器上的电压降至低于该值时、开关稳压器将开始开关 HIDRV 电压将相对于 SW 节点增大。  一旦达到大约2V、它就会打开高侧 FET 并立即将这些电容器充电回8.4。

     您可以在左侧示波器的测量列中看到2V 差分。  Δ 值很小、但足以略微导通 FET。  由于未连接电池、BAT 连接为高阻抗、因此这个小启动仍然足以 将 V_BATT 提升至充电电压。

    下面是一个放大图、显示了 HIDRV 和 SW 之间的小差值稍微好一点:

    连接电池后、我们就不会出现这种超低电流的情况、开关操作会使 HIDRV 的电压比 SW 的电压升高大约6V: