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[参考译文] AFE 校准和 OCD/SCD 精度？

admin
Guru**** 2553450 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ76930, BQ78350-R1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/744785/afe-calibration-and-ocd-scd-accuracy

主题中讨论的其他器件：BQ76930、 BQ78350-R1

您好！

我们的项目使用数据表中的 BQ76930 AFE、位于以下部分：

7.3.1.1.2.1使用主机微控制器的可选实时校准

它提到我们需要进行校准以提高精度。  

是否需要进行校准？ 如何执行校准？

校准是否会影响 SCD/OCD 精度？

谢谢你。

 

  • 0
    TI__Guru**** 2553450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Alex：

    我刚才在另一个主题上回答了这个问题。 您是否正在与 Frank 合作？

    SCD 和 OCD 基于硬件比较器、校准不会影响这些比较器。 校准可以改善 BQ76930向电量监测计(如 BQ78350-R1)或微控制器报告的电流测量。

    "bq76930在出厂时进行了校准、因此所有器件将在数据表规格内进行一致的测量。 但是、测量也会受到电路板寄生效应的影响。 bq78350-R1配套电量监测计或微控制器可以进行校准、以校正由于电路板而导致的任何误差。 《BQ78350-R1 TRM (技术参考手册)》的第12.2节对此进行了详细介绍：www.ti.com/.../sluubd3d.pdf"

    此致、
    Matt
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    TI__Guru**** 2553450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Matt
    感谢您的回复。
    我还有其他问题、请参阅数据表第38页。
    它表示"放电延迟设置中存在短路。 仅在使用的系统中建议使用400 µs 设置
    kΩ 电池测量输入电阻 RC 为1M Ω(对应于最小内部电池
    平衡电流或外部电池平衡配置)。"
    这意味着什么？ 是否应将 SCD 延迟设置为400us 以提高精度？
    谢谢
  • 0
    TI__Guru**** 2553450 points
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    您好、Frank、

    有人昨天还问了这个问题： e2e.ti.com/.../745663
    延迟设置不应与阈值设置相关、也不会解释您看到的问题。 您可以尝试对此进行实验、但我认为它不会影响结果。

    此致、
    Matt
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    TI__Guru**** 2553450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    [引用用户="Matt Sunna]嗨、Frank、

    有人昨天还问了这个问题： e2e.ti.com/.../745663
    延迟设置不应与阈值设置相关、也不会解释您看到的问题。 您可以尝试对此进行实验、但我认为它不会影响结果。

    此致、
    Matt

    [/报价]

    尊敬的 Matt  

    Morris 是我们的 EE 家伙，事实上，将 SCD delay 设置为400us 后，我们可以获得更精确的 SCD 阈值。

    在将延迟设置为400us 之前、我们将设置为70us、结果如下所示

    SCD 阈值(mV) 17号 PCB (延迟设置为70us)
    发生 SCD  (mV) 误差%
    44. 34 22.73%
    67 52.8. 21.19%
    89 68 23.60%
    111. 83.1. 25.14%
    133. 113 15.04%
    155. 128.2. 17.29%
    178. 147.1.执行情况报告 17.36%
    200 158.4. 20.80%

    将 SCD 延迟设置为400us 后、该值如下所示

    SCD 阈值(mV) 17号 PCB (延迟设置为  400us)
    发生 SCD  (mV) 误差%
    44. 37.7. 14.32%
    67 56.7. 15.37%
    89 75.6. 15.06%
    111. 98.2. 11.53%
    133. 113.1. 14.96%
    155. 147.2 5.03%
    178. 158.5. 10.96%
    200 173.5 13.25%



    您可以看到结果、将延迟设置为400us 后、误差将小于设置为70us  

    但它仍未达到10%、 您是否有任何其他建议或方向可以让我们澄清这个问题？

    顺便说一下 、我们将按照文档 TIDUC43A" 20系列电池管理模块参考设计"来开发我们的 BMS 系统

    因此、我们将使用两个 I2C 来读取/写入 AFE 寄存器、这是我们和 EVM 板之间的巨大差异、读取/写入操作是否会影响 SCD 精度？

    谢谢   

  • 0
    TI__Guru**** 2553450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您能否使用不同的感应电阻器值尝试实验？ 或者、您是否可以尝试使用已知的负载电流而不是在检测电阻器上施加电压、如果电压未直接施加到输入滤波器(焊接和布线电阻)、这可能有助于解决任何误差？

    Matt