我们有关于 TLV743P 的问题。
问题1.
我们尝试使用 TLV743P +肖特基二极管来保护反向电流。
有问题吗？
是否有可从数据表中判断的规格？
我们担心肖特基二极管的 IR 会影响 TLV743P 的运行。
肖特基二极管的 IR 为100µA μ m 或1000µA μ m、哪一个更好？
问题2.
您知道使用 TLV743P 时反向电流保护的好解决方案吗？
此致、
西泽高郎
你好、Takahiro、
在 OUT 至 IN 之间放置肖特基二极管的预期方法是保护 LDO 免受反向电流影响的常用方法。 该二极管为输出电压应超过输入电压时的反向电流提供可靠的路径。 肖特基二极管的低正向电压允许外部二极管在内部寄生体二极管之前开始传导。
以这种方式使用肖特基二极管将保护 LDO 免受反向电流的影响、但确实需要进行一些权衡。 例如、通过肖特基二极管的任何反向泄漏都将提供从 Vin 到 Vout 的路径、因此会使 PSRR 略微降低。
如果您的应用具有足够的余量(Vin - Vout)、另一种保护上游器件免受反向电流影响的方法是在 LDO 的输入电容器之前串联一个二极管。 必须将二极管放置在 LDO 的输入电容器之前、以便通过 LDO 的任何反向电流都会为输入电容器充电并提高 LDO IN 引脚的本地电压。 一旦 Vout 不再超过 Vin、反向电流将不会流动。
非常尊重、
Ryan
