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[参考译文] BQ2970：有关消耗电流和 MOSFET 要求的问题

admin
Guru**** 2496895 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/730463/bq2970-question-about-consumption-current-and-mosfet-requirement

器件型号：BQ2970

您好专家、

我的客户对 bq29700有一些问题。

Q1：根据数据表规格，该 IQ 是否包括 I_normal 中的 COUT/DOUT 驱动电流？ 或者、您能提供测试条件吗？  

问题2：MOS Ciss 值是否有限制？

Q3：PACK+与 VBAT 之间的电阻器(330欧姆)是否损坏？  

此致、

Ann Lien

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    TI__Guru**** 2496895 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Q1：由于 COUT/DOUT 的开关不一致、我想说所列的 IQ 在必须灌/拉保护 FET 的栅极电容的开关序列期间确实包括 COUT/DOUT。

    mΩ：Ciss 没有限制、但 FET 的关键在于：Vdss = 25V、每个 FET RDS on = 7.5k Ω(Tj = 25°C 且 Vgs = 3.5V 时)

    问题3：不应有任何理由使其受损。 它可用作噪声和急剧负瞬态的 RC 滤波器、并在反向连接期间限制电流。