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[参考译文] LM5122：烧坏问题

admin
Guru**** 2542180 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5122

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/745723/lm5122-burn-issue

器件型号：LM5122

您好、先生、

我的客户使用 LM5122作为升压结构、其中一个电路板被烧坏。 有几个问题需要检查

规格：输入42~60V，输出60V，3A  

LM5122是否可用作非同步升压结构？  根据结果，MOS (SW 到 GND)被烧断，二极管正常。  

2. 升压二极管 DBST：1N4148是否正常，是否可能导致 LM5122烧坏？

3.如果输入电容和输出电容非常小(约1U)，是否可能导致 LM5122烧坏？

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    TI__Guru**** 2542180 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 KJ、

    感谢您和您的客户在设计中考虑使用 Lm5122。 您的描述不清楚具体的刻录内容。

    要回答您的问题：
    (1)是的、您可以将其用作非同步升压。 您只需将 HO、HB 和 SW 保持接地状态，而不需要从 VCC 馈送 HB。 对于60V 输出、您应该选择至少80V MOSFET 来处理可能的电压应力。

    (2)我认为1N4148不能支持3A 负载。 其额定值为300mA。 您应该选择额定电压为100V 且电流大于3A 的二极管。

    (4)如果输出电容非常小、则输出纹波会更高、这可能会导致低侧 FET 上出现过压。 请根据 LM5122数据表设计指南选择 FET。

    谢谢、
    应用工程学 Yohao Xi
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    TI__Guru**** 2542180 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Youhao、

    感谢您的回复、刻录问题并非始终发生(第1页、共7页)

    原因


    (1)。 您的建议与客户的不同之处在于，我的客户将 HO floatimg、SW 馈送到系统(电感器、MOS 的驱动器和二极管，与同步升压相同)。 什么是 HB？ 您是否有推荐分享的原理图？
    (2)。 对于1N4148，它与升压电容器串联使用以实现电荷泵功能。 它是否仍需要3A 功能？
    (3)。 和以前一样，由于负载是电池，客户不使用较大的电容作为输入和输出电容，这是否合理？
    (4)。 MOS、我们选择100V NMOS、不使用2 NMOS 的原因是同步升压是系统的输入和输出所有电池、客户担心 MOS 的二极管会将能量反向输入、是不可能的？ 如果可能，您是否有任何建议？