您好！
我使用的是 TI 的 LMG1020-EVM 板。 我将对此进行测试、因为我计划在定制二极管驱动器设计中使用 LMG1020。 该 EVM 被宣传为支持1ns 脉宽的驱动器。 1ns 脉宽规格是否适用于 LMG1020？ 我看到 LMG1020可以产生接近1ns 的脉冲、但在 GaN FET 的输出端看不到任何接近1ns 的脉冲。 根据输出、我是指通过二极管的"电流"波形。 绿线迹由 ThorLabs DET080C 探测器生成。 黄色迹线是电路板上 EPC GaN FET 的栅极。
我的测试设置在 GaN FET 的栅极产生~2ns 脉冲、但输出为~10ns。 我移除了负载电阻器并放置了一个二极管(OSRAM SPL PL90_3)作为负载。 随附了数据表。
e2e.ti.com/.../SPL-PL90_5F00_3_5F00_EN.pdf
我已尽可能短地切割了支脚、并以我能做到的最优化的方式连接(短引线、将干净的焊料焊接到焊盘以消除 ESL 等)。 在本例中、我使用30V 电压驱动二极管电源(J2)。 我注意到、如果我仅增加二极管功率、FET 输出宽度会大幅增大。 例如-在 J2上从30V 变为50V 会将输出脉冲宽度增加5倍。 此时仅增加二极管电压。
总之、我有几个问题。
TI 对该 EVM 的描述是、它可以生成1ns 的脉冲宽度、但 TI 是否意味着该1ns 仅适用于 LMG1020输出或实际 GaN FET 的性能？
2. 是否可以在输入电压为~60V 的情况下从该电路板获得2ns 脉冲。 我认为电路板的额定电压为75V、因此使用相当高的(例如60V)功率、您可以从 FET 产生2ns 脉冲吗？
3. 我注意到此开发板/EVM 上的与门仅在100Mbits 下(在数据表中)执行。 这让我相信与门只能产生10ns 的脉冲。 是这样吗？ 与门似乎不能产生1ns 脉冲。
4.下面的屏幕截图显示了当我增加二极管电压时探测器的响应。 这里有很多振荡。 下面的屏幕截图显示了 ThorLabs DET080C 的响应、就像上面提到的屏幕截图一样。 严格来说、这是光学测量。 使用此 EVM 进行二极管驱动是否是常见的电振铃？
5、 为什么 FET 看起来导通速度快于关断速度？
