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器件型号：LM5019 大家好、
我的一位客户正在自己的电路板上评估 LM5019。 当高侧 NMOS 导通时、它们发现大约1.2A 的峰值电流(三角形、基极的电流宽度为20ns)流入 VIN 端子。 (当高侧 NMOSFET 关闭时、不会观察到任何类似的峰值电流。)
我认为电流用于 SW 终端节点充电、最高可达 VIN 电压。 但客户认为这是从 VIN 到 RTN (GND)的直通电流。 哪一项是正确的？
其电源条件使用 LM5019如下所示。 Vin=60V、Vout=5V、Iout=100mA。 (拓扑只是一个降压转换器、不是隔离式的。)
我假设 LM5019在 SW 端子处具有50pF、并使用公式"CV=IT"计算了 SW Terr终端 在0V 至60V 范围内充电的峰值电流、如下所示。
I=CV/T=50pF * 60V/20ns = 0.15A。 该电流值为平均值。 因此 峰值电流为0.30A。 但敏感度峰值电流为1.2A。 因此、与1.2A 相比、0.30A 过小。
您知道 LM5019 SW 端子(6号)的电容值是多少 吗？ 它是否大于50pF？ 它大约是200pF 吗？
或者、您是否认为1.2A 峰值电流包括从 VIN (2号)到 RTN (1号)的任何直通电流？
请给我回复或评论吗？ (很抱歉、我目前无法向您发送客户获取的电流波形。)
请您回复。
此致。
Kazuya Nakai。
