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[参考译文] TPS736：当 EN 为低电平时、Vin 为低电平时 TPS736的输出阻抗

admin
Guru**** 2386600 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS736, TPS763
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/744629/tps736-output-impedance-of-tps736-when-en-is-low-vin-is-low

器件型号：TPS736
主题中讨论的其他器件： TPS763

您好！  

感谢您先前的解释。  我想知道 TPS736器件的等效电阻网络是否相似？  同样、这用于计算 EN 和 VIN 为低电平时的直流输出阻抗。  在这种情况下、输出电压也会很低。

谢谢、

JMMN

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    TI__Guru**** 2386600 points
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    您好！

    TPS736具有一个 NMOS 导通元件。 使用 N 沟道导通 FET 的一个优势是、与尺寸相同的 P 沟道导通 FET 相比、它们可以实现更低的压降电压。 在压降情况下、等效网络将相同、但 Rdson 将更小、因此输出阻抗比 TPS763小。

    使用 n 通道导通 FET 的另一个优势是其内置的反向电流保护。 N 沟道导通 FET 的寄生体二极管不会以反向(VOUT 至 VIN)方向传导电流。 当 EN 和 VIN 为低电平时、导通 FET 处于高阻抗状态、等效网络简化为与负载并联的反馈网络。

    谢谢、
    Gerard
  • 0
    TI__Guru**** 2386600 points
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    谢谢！