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[参考译文] 浮动 VCR

admin
Guru**** 2496645 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/728961/floating-vcr

大家好、我正在搜索功率变量电阻器。 它必须在 0 - 0.6欧姆范围内变化 、并且必须能够使电流高达8安。 对于无源电阻、可以、但我想问是否存在功率 MOSFET 之类的有源组件、您可以使用它来实现这一目的。 MOSFET 源极不连接到接地端、而是悬空非常重要。 MOSFET 栅极可由逻辑 电路驱动。 我无法在 TI 网站上找到具有 此技能的 IC。 请帮我找到该组件吗？

谢谢！

Ettore。

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    TI__Guru**** 2496645 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Ettore、

    本主题已分配给 DAC 产品系列、该产品系列还负责我们的数字电位器。 在我们的产品系列中、我们没有这样的器件。 如果您还没有 ：www.ti.com/.../overview.html、请查看此登录页面

    我还会重新分配此主题帖所有权、以便更适合这些产品的人可以尝试为您提供答案。
  • 0
    TI__Guru**** 2496645 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Ettore、

    感谢您发帖。
    您将需要在线性区域中运行 MOSFET 以产生高达600m Ω 的电阻、功率耗散将在4.8W (0.6Ohms x 8A)区域内。 在这种功率损耗下、您将需要一个具有低热阻的大型裸片 MOSFET 来耗散功率并保持低结温。
    此外、您需要非常小心、在线性区域中运行时不会发生热失控。 如 TI MOSFET 数据表和所有竞争产品数据表的图3所示、存在一条传输特性曲线、这表明在线性区域(低于保证电阻的位置并高于阈值) 在某个区域、所有功率 MOSFET 都允许在温度升高的情况下传导电流更多的电流。 如果 MOSFET 温度由于电流增加而持续上升、则如果在该模式下永久运行、则可以获得热逃逸。