我想在30%占空比下生成一个1MHz 方波、该方波在0-100V 之间变化。 该驱动器是否可用于向电极施加电压? 谢谢!
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您好、Don、
在我之前的帖子中、我打算指定我尝试驱动 MOSFET、然后在电极上输出电压。 电极本质上可以建模为电容器、我将尝试在所附的.tsc 文件中建模。 然而、我的模型在较低的 PWM 频率下工作正常、但当我进入1MHz 频率范围时、低侧栅极驱动器似乎始终保持开启状态、开关速度不够快。 什么会阻止低侧快速打开和关闭? 谢谢。
尊敬的 Carlos:
我叫 Mamadou Diallo、我将帮助解决您的问题。
在"较低的 PWM 频率"下、该模型按预期运行。 我怀疑它低于500kHz。
现实生活中的1MHz 开关将需要驱动器的大量功耗。 您会向驾驶员提出很多问题。 请记住、使用栅极驱动 器时、最大开关频率受驱动器输出功率以及栅极电阻器确定的可变功率耗散的限制。 因此、开关频率越高、功耗越高。
该器件在开关频率低于500kHz 时性能最佳、如下图所示。
因此、我建议显著降低您的开关频率。
我知道您提到过您使用这种拓扑驱动电极、但您这么快的开关速度有具体原因吗?
如果您有其他问题或按下绿色按钮、请告知我们、这有助于解决您的问题。
谢谢。
此致、
-Mamadou
您好、Mamadou、
我最初尝试以1MHz 的频率驱动 IRF100B201、但该操作不起作用。 切换到另一个 MOSFET、例如 FDP52N20、在相同的条件下开始工作。
确保 CBO>10*CLBIAS 和 Ron = 10、ROFF=5以及 HB 和 HS 引脚之间的快速恢复,我可以使仿真正常工作。
我想知道、TINA TI 是否考虑了 UCC27710的内部电阻(导通时为 R 下拉电阻、R 上拉电阻)以及 MOSFET 的内部电容(CGD、GGS 等)? 因为这些似乎是决定驱动器和 MOSFET 之间的容性的主要因素。 谢谢:)
尊敬的 Carlos:
您可以通过双击零件、然后在弹出窗口出现时按"Enter Macro"来访问模型的详细信息、该窗口将显示模型将考虑的特征和特征。
例如、对于 UCC27710、我在下面附上了模型使用说明:
您可以看到模型未考虑工作电流和温度等... 至于 MOSFET、我相信如果您使用的是 TI MOSFET、您可以访问这些模型并查看其中包含的内容、但"semic"选项卡中的通用 MOSFET 不会。
但是、您仍然可以使用常规电容器来复制 CGS 和 CGD、了解这些值与我们在复制链路上所做的类似。
此致、
-Mamadou