This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC27710:该驱动器是否可用于驱动电极

Guru**** 2390755 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27710

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/726120/ucc27710-can-this-driver-be-used-to-drive-an-electrode

器件型号:UCC27710

我想在30%占空比下生成一个1MHz 方波、该方波在0-100V 之间变化。 该驱动器是否可用于向电极施加电压? 谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Carlos:

    很高兴听到您的声音!

    UCC27710专为驱动 MOS 栅极功率晶体管(MOSFET、IGBT、SiC、GaN ...)而设计。 它不应用于直接驱动负载。 我不确定这是否是您尝试执行的操作。

    我的同事张伟制作了一个关于栅极驱动器的精彩视频。 您可能需要将其签出:
    training.ti.com/mastering-art-and-fundamentals-high-voltage-gate-driver-design
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Don、

    感谢  栅极驱动器资源。 我看了它、注意到我缺少了一些东西。  

    在我之前的帖子中、我打算指定我尝试驱动 MOSFET、然后在电极上输出电压。 电极本质上可以建模为电容器、我将尝试在所附的.tsc 文件中建模。 然而、我的模型在较低的 PWM 频率下工作正常、但当我进入1MHz 频率范围时、低侧栅极驱动器似乎始终保持开启状态、开关速度不够快。 什么会阻止低侧快速打开和关闭? 谢谢。

    e2e.ti.com/.../UCC.TSC

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Carlos:

    我叫 Mamadou Diallo、我将帮助解决您的问题。

    在"较低的 PWM 频率"下、该模型按预期运行。 我怀疑它低于500kHz。

    现实生活中的1MHz 开关将需要驱动器的大量功耗。  您会向驾驶员提出很多问题。 请记住、使用栅极驱动 器时、最大开关频率受驱动器输出功率以及栅极电阻器确定的可变功率耗散的限制。 因此、开关频率越高、功耗越高。

    该器件在开关频率低于500kHz 时性能最佳、如下图所示。

    因此、我建议显著降低您的开关频率。  

    我知道您提到过您使用这种拓扑驱动电极、但您这么快的开关速度有具体原因吗?

    如果您有其他问题或按下绿色按钮、请告知我们、这有助于解决您的问题。

    谢谢。

    此致、

    -Mamadou

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    谢谢、这解决了我的问题。

    在另一个注释中、我发现了与仿真相关的问题、我没有为仿真正确选择 MOSFET (基于 dV/dt)。 但是、我发现一些 MOSFET 会满足 dV/dt 条件、并且即使在1MHz 下仿真也能正常工作。 这是否意味着仿真不准确? 我使用了 TINA TI 并从 Infineon 和 on-Semi 下载了一些.lib 文件
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Carlos:

    我很高兴你找到了根本原因。

    不是、这并不意味着您的仿真不准确、但仿真不考虑实际中的功率耗散和发热、只要您达到构建电路的目的、就要记住这一点。 只要您保持在热性能和其他规格范围内、例如栅极电阻器选择结温等、就可以驱动到更高的频率。

    感谢分享问题的根本原因。

    如果需要进一步的帮助/未来的第二眼、请随时与我们联系。

    此致、

    -Mamadou
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Mamadou、

    我最初尝试以1MHz 的频率驱动 IRF100B201、但该操作不起作用。 切换到另一个 MOSFET、例如 FDP52N20、在相同的条件下开始工作。  

    确保 CBO>10*CLBIAS 和 Ron = 10、ROFF=5以及 HB 和 HS 引脚之间的快速恢复,我可以使仿真正常工作。  

    我想知道、TINA TI 是否考虑了 UCC27710的内部电阻(导通时为 R 下拉电阻、R 上拉电阻)以及 MOSFET 的内部电容(CGD、GGS 等)?  因为这些似乎是决定驱动器和 MOSFET 之间的容性的主要因素。 谢谢:)

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Carlos:

    您可以通过双击零件、然后在弹出窗口出现时按"Enter Macro"来访问模型的详细信息、该窗口将显示模型将考虑的特征和特征。

    例如、对于 UCC27710、我在下面附上了模型使用说明:

    您可以看到模型未考虑工作电流和温度等... 至于 MOSFET、我相信如果您使用的是 TI MOSFET、您可以访问这些模型并查看其中包含的内容、但"semic"选项卡中的通用 MOSFET 不会。  

    但是、您仍然可以使用常规电容器来复制 CGS 和 CGD、了解这些值与我们在复制链路上所做的类似。

    www.ti.com/.../toolssoftware

    此致、  

    -Mamadou