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[参考译文] BQ25713：直通模式(最小占空比)

admin
Guru**** 2496645 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/727492/bq25713-pass-through-mode-min-duty-cycle

器件型号：BQ25713

您好！

直通模式下允许的最大占空比是多少？

方框图和说明似乎指向一种为 n-FET 的栅极电压充电的自举方法、这需要打开低侧 FET 以允许自举电容器充电-如果我的解释不正确、请更正我的问题。

谢谢！

此致、

Alberto

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    TI__Guru**** 2496645 points
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    两个高侧 FET 始终保持导通状态、直到 需要刷新自举电容器。 然后、低侧 FET 会在极短的时间内导通、以便为自举电容器充电。

    大约、低侧 FET 导通频率约为1kHz。

  • 0
    TI__Guru**** 2496645 points
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    您好、Yipeng、
    感谢您的快速回复。
    好的、自举电容刷新频率约为1kHz；LS 保持开启的时间有多长？ (是否有最短导通时间？)。
    谢谢！
    此致、
    Alberto
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    TI__Guru**** 2496645 points
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    在自举电容刷新期间、LS 导通时间约为100ns~200ns。