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[参考译文] CCS/UCD3138:为什么结果不同,通过更改代码中的寄存器,通过 Memory 更改 KI_CLAMP 高电平,而不是?

Guru**** 2496645 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/724814/ccs-ucd3138-why-is-the-result-different-change-the-ki_clamp_high-by-memory-is-different-from-by-change-the-register-in-the-code

器件型号:UCD3138

工具/软件:Code Composer Studio

 我更改代码中的 KI_CLAMP 高电平,发现 YN 值在 EADC 中出现错误时有所不同。

我 通过内存调试更改 KI_CLAMP 高电平、发现 YN 值在 EADC 中出现错误时相同。

我不知道为什么结果不同。

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    你(们)好

    UCD 团队总部设在美国、由于是美国的国庆节、他们的回应可能会延迟到明天。

    此致

    Peter
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    有一点、KI_CLAMP 高电平仅钳制积分器。 YN 是积分器、比例级和差分级的组合。
    通常、在系统中、YN 是动态的、因此它会发生变化。 如果您能描述您的确切配置、或许我可以为您提供帮助。 此外、您正在向 KI_CLAMP 高电平写入什么内容、您正在读取的两个值是什么?
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    更改代码中的 KI_CLAMP 高电平值并通过 GUI 的内存调试更改 KI_CLAMP 高电平。 结果如下:

    我不知道为什么结果不同。

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    最可能的差异是由两个事件的相对计时引起的。 代码中的一个发生在相对于系统运行的固定时间、而内存调试变化发生在不同的可变时间。 这就是为什么当您描述的情况发生时、我询问系统在做什么。 一般而言、无论何时程序和调试器发生变化时、都是由不同的时序引起的、而不是器件或调试器中的任何故障引起的。
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    谢谢。