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[参考译文] BQ40Z50-R1:对数据闪存进行编程时出现问题

Guru**** 2496595 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z50-R1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/725811/bq40z50-r1-problem-to-programming-data-flash

器件型号:BQ40Z50-R1

您好!

我想使用 EV2300和 LabVIEW 对 BQ40Z50-R1的数据闪存(0x4000至0x5FFF)进行编程。

我写入所有数据闪存、但在地址0X5F80之后、我无法写入任何内容。 在0X5F80和0x5FFF 之间、所有数据都是0。。

你有答案吗?

感谢您的回复

欧雷利恩

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Aurelien、
    设置仅使用部分数据闪存存储器空间。 固件将某些部分用作便笺本。
    检查数据闪存设置存储器范围的最佳方法是使用"Data Memory"屏幕中的"Hex Dump"功能:

    导出的文件将显示所有设置所需的地址范围。

    对于 bq40z50-R1、地址范围为0x4000至0x497F。

    此致、

    Swami

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好,Swami,

    我已经完成了十六进制转储、正确的做法是地址范围为0x4000到0x497F。

    感谢你的帮助。

    Aurelien