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器件型号：TLV742P 主题中讨论的其他器件： TLV755P
TLV742P (和 TLV755P)数据表中说明了"当(VIN–VOUT)接近压降时、PSRR 和瞬态响应降低"。 我不确定"接近"是什么意思。 我需要在宽输出电流范围和器件温度范围内实现良好的 PSRR、并且在这种情况下、我具有指定的 VOUT、但可以选择我的 VIN。 假设 VIN–VOUT 等于400mV、这是否足够？ 或者、您是否会采用略高于此值的 VIN 来改善器件的 PSRR？ 如果 LDO 能提供更好的 PSRR、我愿意在 LDO 中浪费更多的能量。 我们非常希望在此提供具体的指导。 提前感谢！
