大家好、
我想使用 CSD13302W。
Q1：VDS is12V。 什么是 VDS 电压？ 这是否意味着 CSD13302W 的 VDS 电压不能更高12V？
Q2：以下 参数 是什么意思？
TD (ON)接通延迟时间
TR 上升时间
TD (OFF)关闭延迟时间
tƒ μ s 下降时间
您是否会提供 图表来解释这些 参数？
Q3：能否使用 NMOS CSD13302W 切换3.3V 电压？ 例如连接。 2引脚为3.3V/60mA 输入。 3引脚为3.3V 输出。 1引脚由 MCU 控制、
如果可以实现这一点、您会向我发送正确的电路还是 TINA 电路？
6月、
感谢您发帖。
让我们尝试回答您的问题：
VDS 是漏源电压的允许值、如果超过该电压、器件将击穿或进入雪崩、具体取决于电流/能量大小、这可能会损坏或损坏器件。 在实际中、电压将略高于12V、但与所有 MOSFET 供应商一样、我们保证12V @ 25摄氏度。
我们在这里写了一个博客系列 
：，在了解 MOSFET 数据表部分查找博客，并转到博客5开关参数，在这个博客中有一个图形和有关这些参数的讨论。 简而言之、这些参数不是比较供应商和供应商的好参数、并且在器件的测试方式上有很大差异。
3.在 NMOS 的图中，体漏极二极管极性不正确。 二极管的阴极需要连接到 MOSFET 的漏极、而不是源极。 这意味着漏极和非源极将连接到+3.3V。 只要 MOSFET 的栅极相对于器件将导通的源极为+ve、在 CSD13302W 的情况下、最小电压需要为2.5Vgs、以确保器件在特定电阻水平下导通。 如果您的 MCU 可以提供2.5V 的 Vgs 电压、则应该可以、MCU 需要提供的实际电压将需要~6V、因为当 FET 导通时、源极上的电压将接近3.3V、因此需要2.5V+3.3V 电压才能使器件保持导通、 如果您没有浮动栅极驱动引脚来驱动 FET 的栅极、 如果不能实现这一点、那么许多人会使用配置为下图所示的 PCH 器件
对于模型、我们提供器件模型、而不是电路模型、可以在此处找到 CSD13302W 的器件模型。 
您好 Chris ，
感谢您的回复。 我仍然很理解。
Q1：我没有看到"PCH 器件采用下图所示的配置"。 您会再上传吗？
您是说我可以使用 PMOS 实现此功能吗？
Q2：我使用 TINA 执行测试电路。 S 引脚在此电路中悬空。 D 引脚为10V。 G 引脚为5V。 那么我可以在 S 引脚中获得10V 的电压。
因此、我可以在电路中保持 S 引脚悬空以实现此功能、对吧？
我执行另一个电路、请检查以下附件：
我认为这个设计比 S 引脚悬空更好。 你有什么建议？
