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[参考译文] BQ4050EVM-561:BQ4050EVM-561

Guru**** 2494635 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ4050EVM-561, BQ40Z50, BQSTUDIO, BQ40Z50-R1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/715908/bq4050evm-561-bq4050evm-561

器件型号:BQ4050EVM-561
主题中讨论的其他器件: BQ40Z50BQSTUDIOBQ40Z50-R1

您好!
请告诉我如何通过 BQ4050EVM-561的 SM 总线写入数据闪存?
或者、您可以向我推荐任何与此相关的文档。
我希望在 BQ4050EVM-561的数据闪存中写入和读取实际序列。

此致
Rahul

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    您好、Rahul、
    您可以在 bq40z50技术参考手册的"Data Flash Access()"部分找到有关读取和写入 DataFlash 的说明
    此致、
    Swami
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    你好,Swami,

    我还在自己的产品中使用 bq27750、但问题是当我写入数据闪存时、没有数据写入寄存器、

    例如:如果我要写入寄存器 CUV Threshold (地址为0x45FB),并通过发送 I2C 命令格式(即)来设置3000 MV  

    写: 3E FB 45(小端字节序)

    写: 40 B8 0B (小端字节序)

    书写:60 FC 06 (小端字节序)

    它将显示默认值2500 MV、命令无法写入寄存器。

    但以下写入序列适用于 BQ27750EVM。

     

    此致  

    Rahul Kumar

    8860719701

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    您好、Rahul、
    bq40z50使用 SMBus 协议(www.ti.com/.../slua475.pdf) 并使用 ManufacturerAccess()块读取写入来访问数据闪存。
    bq40z50技术参考手册"Data Flash Access()"部分中有关读取和写入 DataFlash 的说明
    要写入 bq40z50-R1中的"CUV 阈值"(位置0x484f 在 bq40z50-R1中)、不同版本的 bq40z50的位置可能不同、请使用 bqStudio 检查存储器地址、或在技术参考手册中)、请在 bq40z50上执行以下操作:
    将块写入0x44、0x4F 0x48 (设置地址)
    读取块0x44、返回34字节前两个字节为0x4F 0x48 (地址正在被读取"CUV 阈值")、接下来的两个字节是实际数据0xC4 0x09。 因此、电流设置为0x09C4 = 2500mV
    将设置更改为3000mV (0x0BB8)
    写入块0x44、0x4F 0x48 0xB8 0x0B
    读取 DataFlash 将显示"CUV 阈值"更改为3000mV
    此致、
    Swami