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我正在设计一个基于 PV 的逆变器。我在设计中实现了 H 桥。我已将高侧驱动器原理图与此连接。作为测试的一部分、我只使用两个 MOSFET 驱动半个周期、一个来自高侧、另一个来自低侧、这样路径就从 VDD 完成 接地。我碰巧探测栅极驱动器 IC 的 VB 和 VS 引脚。我发现它通常在120V 的特定 VDS 之前工作。当 VDS 从120V 增加时, VS 引脚上零基准电压的电平位移大于零与电压的增加成正比。我的意思是说如果 VDS 是120V,VS 引脚会从零电平上升到特定电压。但是当 VDS 从120V 增加时……如果 VDS 是150V, 然后、Vs 上的脉冲电平以30V 的直流值移动到零电平以上。当我们从120V 升至零电平时、我们发现电平从零电平移动成比例增加。我已附上了 H_bridge 的粗略草图。直流值或的可能原因是什么 本设计中 VS 引脚基准电平的电平位移?为什么不对低于120V 的 VDS 值进行电平位移?请注意、我在 H 桥上使用的最大200V 可变电源是由我的驱动器造成的、还是由 MOSFET I 造成的 设计中使用的是什么?

