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器件型号：TPS51200 尊敬的支持人员：
目前、我们使用 TPS51200灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器为1x DDR3 (256Mx16 | 4Gbit)生成0.75V 的 VTT 基准。
现在、我们要再添加1个 DDR3芯片。 这意味着我们将使用两个 DDR3、使用同一 TPS51200为2个 DDR3芯片生成0.75V VTT 基准。
问题1：考虑到 DDR3连接到不同的 FPGA 组并且它们是单独使用/访问的、是否允许对两个 DDR3芯片使用单个 TPS51200？
经过分析、当我们在逻辑"0"处驱动24条地址线路、每条线路提供36欧姆端接电阻时、就会出现最坏情况的电流源。
这将得到以下数字：
对于1x DDR3、Ivtt = 24 *((1.5V/2)/36欧姆)= 0.5A。 由于我们使用了2个 DDR3、因此将 Ivtt 乘以2 = 1A。
此外、当所有地址线路处于逻辑"1"时、由 VTT 灌入的最坏情况电流将为1A。
我在数据表中看到 Iout VTT (最大值)(A)= 3A
问题2：考虑到上述数字，您能否确认在功率方面没有问题？
已考虑的另一种解决方案是使用2个 TPS51200、一个用于第一个 DDR3、另一个用于第二个 DDR3。
问题3：这是否比对两个 DDR3 VTT 基准使用单个 TPS51200更好？
此致、
K é vin
