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[参考译文] LM5116：LM5116MH/NOPB 上电后 MOS 烧毁

admin
Guru**** 1818760 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19534Q5A, CSD19532Q5B
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1190896/lm5116-the-mos-burnout-after-lm5116mh-nopb-power-on

器件型号：LM5116
主题中讨论的其他器件：CSD19534Q5A、 CSD19532Q5B

您好，

LM5116MH/NOPB 的 MOS 在上电后烧坏。 原理图如下所示。 请帮助分析原因。 谢谢！

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    TI__Guru**** 1818760 points
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    你(们)好  

    MOSFET 可能会因过热或过压而损坏。

    请告诉我详细的测试条件、以便进行更多调查。  

    －Eric Lee  

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    TI__Guru**** 1818760 points
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    有两种烧毁情况：1. 无负载、MOS 在上电时烧断；2. 空载、MOS 上电后几分钟内烧坏、这段时间内没有运行；

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    TI__Guru**** 1818760 points
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    你(们)好  

    请告诉我 VIN、VOUT 和 MOSFET P/N 此外、请分享电路板图片/布局。  

    －李家祥

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    TI__Guru**** 1818760 points
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    您好，

    输入电压为48V；输出电压为-20V；输出电流为3A；MOS 在空载条件下烧毁、而 CSD19534Q5A 和 CSD19532Q5B 分别用于 MOS 型号； PCB 的顶层和底层如下图：所示

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    TI__Guru**** 1818760 points
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    你(们)好  

    1. R10应打开

    2.拆下电感器

    3.将电源电流限制设置为0.2A

    4.逐渐增加 VIN 并检查低 VIN 时的 SW 引脚电压。 最大输入电压下的电压应小于100V。  

    走线太薄... CSG 应以开尔文连接到 Rsense、AGND 不直接连接到 EP...

    －Eric Lee