你好。
请告诉我、是否可以使用齐纳二极管来保护 MOSFET 的栅极、如图(红圈)所示?

我怀疑、对于闭合晶体管 VT12和 VT13、充电器或负载侧的电压浪涌很大、
过多的电流可能会流经 VDZ12 -> R89电路、这将损坏驱动器芯片。
是否可以安装齐纳二极管来保护充电 MOSFET 的栅极(图中的一组 VDZx 和 Rb)?
我怀疑晶体管 VT9和 VT10关闭后、电流将流经 VDZx -> RB 电路、这会增加
电池的自放电。
是否可以在电池输出端使用双向 TVS 二极管(VDZ16),或者是否应该使用单向二极管?