• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 1 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 137 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ76942EVM：为什么在 p MOSFET 的漏极添加电阻器？

admin
Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ76942EVM
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1191517/bq76942evm-why-resistor-is-added-at-drain-of-p-mosfet

器件型号：BQ76942EVM

您好！

发送部分原理图后、让 MW 知道为什么 BQ76942EVM 需要 R39。 FBAT 为12V、Q6的引脚3连接到 PACK+。

此致、

ANANT

  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Anant、您好！

    R39控制 Q5导通时流经 FET 的电流大小。 R39用于限制预充电电流。

    Q6中的引脚3表示 P 沟道 FET 的漏极。 这里的电流将从源极流向漏极；因此 、预放电  FET    可用于  在     负载  最初 受电时降低浪涌电流。

    请参阅 数据表中的11.5.2预充电和预充电模式

    此致、
    何塞·库瑟