[参考译文] LM25180-Q1：CISPR 25 5类传导问题

BJ、

原理图上没有输入电容器。 我假设它是 C48、如布局中所示。 CIN 电容器对于良好的 EMI 至关重要。 将 CIN 电容器放置在非常靠近 IC 的位置、以便环路(IC 的 CIN+-> VIN 引脚-> IC 的 GND 引脚-> CIN-)具有尽可能小的环路面积。 具有长细布线和返回 GND 的中间层路径的电流布局会产生大量寄生电感、在 FET 关断时、该电感会与 FET 的寄生电容发生振铃。

2.原理图中的 L14未出现在布局中。 该磁珠也不应存在。

布局中的 C77和 R93不在原理图上。 尝试调整缓冲器值以减少振铃。

4.可以将 D17和 D14直接置于彼此的上方/下方，以便缩短 SW 走线的长度。 您可以尝试降低 D14的钳位电压以帮助降低 EMI。

5.移动组件以使 SW 节点尽可能短。 通过移动组件可以将其降低~40%。

6.将 Y 形电容器直接放在布局上变压器的下方(顶层、旁边)。 减小该电流的环路面积。 电感越大、意味着重定向的电流越少、电容的效率就越低。

7. COUT 可以添加一个小型陶瓷电容器来重定向高频噪声。

如有进一步的问题、请进行更新、使原理图和布局匹配。

Sam