您好!
我目前正在评估原型设计的性能、原型设计最初由其他人设计(但不再可供选择)、采用 TPS16630 (QFN 封装)。 这主要用于24V 工业器件、以对下游电路(外部连接的电路)施加约5.5A 的电流限制。
我们在满载条件下遇到了一些启动问题、这些问题已被确定为与启动期间器件的热调节有关、这实际上是由于浪涌电流和器件上的短期功率耗散造成的。 我们计划通过更好的 PCB 布局(器件散热)和切换到 TSSOP 版本来大幅提高功率处理能力。 我还知道用于此器件的设计计算器工具,以帮助估计给定的设计*应该*是否能够启动。
但是、我的问题专门与 dVdT 电容器有关。 我了解此组件的功能、但已注意到数据表:
- μs 指出" DVDT 引脚悬空可实现24V/500 μ s 的最快输出压摆率。" (第9.3-1节);但是
- 还根据第7.3节列出了10nF 作为建议最小值
此建议最小值是否有原因?
除了增加输出压摆率之外、是否有任何其他已知的副作用、或者我应该意识到的行为、通过使一个 dVdT 电容器小于10nF (或者开路/悬空)?
请提前感谢。
Dave