主题中讨论的其他器件:TPS74801、 TPS753、 TPS7A8300、 TPS748A
我们在 之前的应用中使用过 TPS75333QPWP、并正在研究在新应用中使用它。 但是、100ms 的复位超时延迟比我们更希望的时间长一些。 是否有类似的器件(电压、电流等)可能具有较短的复位超时延迟?
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尊敬的 Bob:
我建议尝试使用具有相似规格和更快电源正常信号的 TPS74801。
此外、此处提供了这两者之间的快速规格比较、以供参考:
TPS753 | TPS74801 | |
输出电流(最大值)(A) | 1.5 | 1.5 |
输入电压(最大值)(V) | 5.5. | 5.5. |
输入电压(最小值)(V) | 2.7. | 0.8. |
输出电压(最大值)(V) | 5. | 3.6. |
输出电压(最小值)(V) | 1.5 | 0.8. |
固定输出选项(V) | 1.8、2.5、3.3 | 可调节 |
PSRR @ 100 KHz (dB) |
17. | 28. |
噪声(uVrms) | 60 | 20. |
精度(%) | 2. | 2. |
压降电压 (VDO)(典型值)(mV) |
160 | 60 |
Iq (典型值) (mA) |
0.075 | 1 |
输出电容器类型 | 非陶瓷 | 陶瓷 |
热阻 θJA (°C/W) |
43. | 44.2 (VSON)、36 (VQFN) |
工作温度 范围(C) |
-40至125 | -40至125 |
封装尺寸:mm2 | 42 mm2:6.4 x 6.5 (HTSSOP|20) | 25 mm2:5 x 5 (VQFN|20)、9 mm2:3 x 3 (VSON|10) |
封装 | HTSSOP|20 | VQFN|20、VSON|10 |
此致、
安德烈斯
尊敬的 Bob:
从 Andres 共享的图像中、我们可以观察到 Vout~1.5V、与大多数具有 PG 功能的器件一样、典型阈值为 Vout 的90%、最小值和最大值分别为85%和94%。 在本例中、我们可以将延迟近似为~10ms。 这也取决于 Vout 的上升时间、因为解码器具有软启动功能、该功能将使用外部电容器(CSS)设置导通响应。
我强烈建议您查看 TPS748A、这是一款与 TPS748类似的更新器件。
最后、如果需要、我们可以在工作台上测量该值、并使用一组给定的条件尽可能接近客户用例进行仿真。
最棒的
Edgar Acosta
尊敬的 Bob:
当使用软启动特性时、启动时间的计算方法为: TSS =(VREF×CNR/SS)/ INR/SS、这将设定 Vout 的上升时间。 以下是使用 TPS7A8300的快速示例:
这摘自 《使用前馈电容器和低压降稳压器的优缺点 》(TI.com)应用手册、但这可用于提供更好的图片。 用户可以始终将总 TSS 用作最坏的计时情况。
我们可以认为 PG 是较新版本的复位、对于 TPS748A、如果未使用 CSS、则有一个典型的启动技术规格、因此、如果使用170us、则当 Vout 达到94%时、该值为~160us、 或者、如果使用10nF 规格、则为~1.13ms
最棒的
Edgar Acosta
Edgar -感谢您提供更多信息。 我想确保我理解正确。 10nF 规格是否为1.13ms、这是从 Ven 变为高电平到 PG 变为高电平的时间? 如果是这样、我们将寻找从 Vout 达到特定电压到 PG 变为高电平的时间。 当3.3V 达到大约2.3V 时、我至少需要300us、直到 PG 变为高电平(但希望小于100ms、因为这会显著影响我的启动时间线)。 如果我们知道上升时间、它是否只是计算从2.3V 到3.1V 的时间、此时我猜 PG 会很快升高(ns?)? 我看到 CNR 值的来源。 INR 值来自何处(也是可变的)?
谢谢。
Bob
尊敬的 Bob:
1.13ms 时序与 TPS748A 相关、而不是所示的图片。 这是针对 TPS7A83的、演示了当 Vout 达到其设定值的~90%时 PG 如何触发。 如果这造成了任何混乱、我深表歉意。
因此、一旦 Vout 达到特定值、PG 就会将其置为高电平、并且通常接近设定值的90%、与您的情况一样、它可能为3.3V。 ISS 电流不会变化、这是始终用于软启动电路的恒定值。 这样、只需放置一个外部电容器即可调整启动时间。
因此、按照前面的10nF 示例、需要1.2ms 的输出电压才能达到3.3V。 当 Vout 达到~2.97V (90%)时、这将转换为~1.13ms、其中 PG 将保持高电平。 PG 的上升与所有这一切无关、几乎应该一步一步快速上升。 话虽如此、2.3V 是3.3V 的~69.69%、这应该是~0.836ms、从而在2.3V 到 PG 触发点之间提供1.13ms-0.836ms~0.2940ms 的近似窗口。
以下是使用 TPS74801型号的示例:
请注意,Vout~3.3V,VPG 上升~90%:
Vout ~1.2ms 后达到3.3V、PG 上升 到~1.07ms。
如果我们现在看看从2.3V 到 PG 上升的点之间的差异、我们会看到0.239ms 的差异
现在、仿真并不完美、会有一些不准确之处、但总体而言、它提供了足够接近的估算、并显示了 PG 的行为。
最棒的
Edgar Acosta
Edgar、
非常感谢您的解释。 TPS748A 的 CSS 高达100nF。 是这样吗? 获取10个数字以获得100nF 的近似数字是否简单? 我之前错过了它、但现在我看到 ISS 的典型值是7.5uA。 是否有任何关于此容差的信息(我想最大值在这里更重要、因为这会缩短时间)? 由于所有这些都是近似值、我想给自己一些缓冲区、但也不一定要"最大输出"、并且使启动时间线比需要的更长。
谢谢。
Bob
尊敬的 Bob:
是的、CSS 的最大建议值为100nF。
[引用 userid="548829" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1191247/tps75333-ep-similar-but-faster-part/4494185 #4494185"]获取100nF 的近似数字是否像获取数字 x10一样简单?从某种意义上讲、是的、因为 TSS=(Vref*CSS)/ISS 并且假设 Vref 和 ISS 始终为0.8V 和7.5uA。
我们实际上知道、Vref 和 ISS 具有一定的容差(最小值和最大值)。
如果电流增加、则时间会减少、因为它们成反比、因此在最大 ISS 为10uA (例如)的情况下、您的时间为8ms、而 在使用100nF 电容器时、时间为10.7ms。
让我来看看 ISS 的容差、并在我找到这些数据后返回给您。
最棒的
Edgar Acosta
尊敬的 Bob:
我在 ISS 规格上找到了一些数据、似乎与7.5uA 没有太大的偏差、这意味着精度非常严格、但是、我已经联系团队确认了这一点、并确保我查看的数据也符合温度要求。
关于您的第二个问题、如果我错了、请纠正我、但您似乎是在要求负载调节还是功率耗散? 您能否详细说明随输入和输出电压变化的 Iout 意味着什么? 如果是负载调节、则图6-14显示了这一点:
如果是功率耗散、这也取决于 PCB 布局和负载、但输出电流不应随输入和输出电压的变化而变化。 它可能会影响需要的余量、这意味着它将决定您的压降电压。
如果是这种情况、则在最大电流1.5A、输出电压为1V 时、您需要~1.135V 或1.5V 的输入电压、以提供足够的余量并保持适当的功率耗散。
但是,如果考虑到热性能,则假设采用标准 JEDEC 编号、最大负载和5.25V 最坏情况和持续运行,则 PD=6.375W,这是相当大的功率耗散。 这对应于300C 的上升时间、这将立即触发热关断。
在给定条件下、假设最高环境温度 Ta=125C、Tj~150C、功率耗散为0.5W、 因此、Iout 不应超过~0.1176 A。这是在最高建议温度下运行的边缘、这将使器件接近热关断状态、但仍处于安全区域、以防止 过热和损坏器件。
如果 Ta=25C、则达到125C 的 Tj、则 PD~2.2558、这意味着 Iout~0.53A
请告诉我您 是否正在寻找这种解决方案。
最棒的
Edgar Acosta
Edgar、
我很抱歉没有提出更明确的要求。 问题是关于热问题。 我试图确定输出电流能力是仅由结温决定、还是也可能存在其他限制。 如您所示、在该输入电压和整个环境下的输出电流为1.5A 是不切实际的、因此我们需要降低输出电流。 在您的示例中、您在环境下显示的功率为2.25W。 因此、如果我们将结温保持在150°C 以下、我可以耗散2W (或更多)的功率?
谢谢。
Bob
尊敬的 Bob:
不用担心、似乎我在热性能方法方面走得对了。
虽然绝对最大值为150C、但建议 Tj 的最大值为125C。 我们只能保证我们在 DS 中列出的内容。
使用150的 Tj 作为示例、防止热关断并显示一些数字。 这种情况会有所不同、尤其是因为 RJA 也会受到 PCB 布局的影响。
考虑到 PCB 的布局、确实在环境下可能会耗散超过2W 的电流。 如上所述、我们只能保证 DS 中列出的内容。
另一个需要考虑的问题是、不建议在此类条件下持续运行、因为这会直接影响器件的长期可靠性。
最棒的
Edgar Acosta