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[参考译文] TPS75333-EP:相似但速度更快的器件

Guru**** 670830 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS74801, TPS753, TPS7A8300, TPS748A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1191247/tps75333-ep-similar-but-faster-part

器件型号:TPS75333-EP
主题中讨论的其他器件:TPS74801TPS753TPS7A8300TPS748A

我们在 之前的应用中使用过 TPS75333QPWP、并正在研究在新应用中使用它。 但是、100ms 的复位超时延迟比我们更希望的时间长一些。 是否有类似的器件(电压、电流等)可能具有较短的复位超时延迟?

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    尊敬的 Bob:

    我建议尝试使用具有相似规格和更快电源正常信号的 TPS74801。

    此外、此处提供了这两者之间的快速规格比较、以供参考:

      TPS753 TPS74801
    输出电流(最大值)(A) 1.5 1.5
    输入电压(最大值)(V) 5.5. 5.5.
    输入电压(最小值)(V) 2.7. 0.8.
    输出电压(最大值)(V) 5. 3.6.
    输出电压(最小值)(V) 1.5 0.8.
    固定输出选项(V) 1.8、2.5、3.3 可调节
    PSRR @ 100
    KHz (dB)
    17. 28.
    噪声(uVrms) 60 20.
    精度(%) 2. 2.
    压降电压
    (VDO)(典型值)(mV)
    160 60
    Iq (典型值)
    (mA)
    0.075 1
    输出电容器类型       非陶瓷 陶瓷
    热阻
    θJA (°C/W)
    43. 44.2 (VSON)、36 (VQFN)
    工作温度
    范围(C)
    -40至125 -40至125
    封装尺寸:mm2 42 mm2:6.4 x 6.5 (HTSSOP|20) 25 mm2:5 x 5 (VQFN|20)、9 mm2:3 x 3 (VSON|10)
    封装 HTSSOP|20 VQFN|20、VSON|10

    此致、

    安德烈斯

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    感谢你的答复。 该器件看起来很有趣、但我很难确定时序、因为除了您提供的图外、我在数据表中看不到任何其他内容。 将其用于3.3V、PG 变为高电平的阈值电压是多少、发生该情况的时序延迟是多少? 这是一个 FPGA 应用、需要延迟相关 PROM 才能"就绪"

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    尊敬的 Bob:  

    从 Andres 共享的图像中、我们可以观察到 Vout~1.5V、与大多数具有 PG 功能的器件一样、典型阈值为 Vout 的90%、最小值和最大值分别为85%和94%。 在本例中、我们可以将延迟近似为~10ms。 这也取决于 Vout 的上升时间、因为解码器具有软启动功能、该功能将使用外部电容器(CSS)设置导通响应。  

    我强烈建议您查看 TPS748A、这是一款与 TPS748类似的更新器件。  

    最后、如果需要、我们可以在工作台上测量该值、并使用一组给定的条件尽可能接近客户用例进行仿真。

    最棒的  

    Edgar Acosta  

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    我更仔细地看一下、使用 PG 确实支持更快的时序、但也允许在软启动、负载等情况下存在一些不确定的时序 TPS7533除了 PG 外还具有复位输出、该输出可提供更可预测的时序、但时间要长得多。 是否有任何较新的器件包含复位输出但时间小于100ms (上面的10ms 数字很有吸引力)? 如果不是、是否有办法使 PG 时序更可预测?

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    尊敬的 Bob:  

    当使用软启动特性时、启动时间的计算方法为: TSS =(VREF×CNR/SS)/ INR/SS、这将设定 Vout 的上升时间。 以下是使用 TPS7A8300的快速示例:

    这摘自 《使用前馈电容器和低压降稳压器的优缺点 》(TI.com)应用手册、但这可用于提供更好的图片。 用户可以始终将总 TSS 用作最坏的计时情况。  

    我们可以认为 PG 是较新版本的复位、对于 TPS748A、如果未使用 CSS、则有一个典型的启动技术规格、因此、如果使用170us、则当 Vout 达到94%时、该值为~160us、 或者、如果使用10nF 规格、则为~1.13ms

    最棒的  

    Edgar Acosta

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    Edgar -感谢您提供更多信息。 我想确保我理解正确。 10nF 规格是否为1.13ms、这是从 Ven 变为高电平到 PG 变为高电平的时间? 如果是这样、我们将寻找从 Vout 达到特定电压到 PG 变为高电平的时间。 当3.3V 达到大约2.3V 时、我至少需要300us、直到 PG 变为高电平(但希望小于100ms、因为这会显著影响我的启动时间线)。 如果我们知道上升时间、它是否只是计算从2.3V 到3.1V 的时间、此时我猜 PG 会很快升高(ns?)? 我看到 CNR 值的来源。 INR 值来自何处(也是可变的)?

    谢谢。

    Bob

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    尊敬的 Bob:  

    1.13ms 时序与 TPS748A 相关、而不是所示的图片。 这是针对 TPS7A83的、演示了当 Vout 达到其设定值的~90%时 PG 如何触发。 如果这造成了任何混乱、我深表歉意。  

    因此、一旦 Vout 达到特定值、PG 就会将其置为高电平、并且通常接近设定值的90%、与您的情况一样、它可能为3.3V。 ISS 电流不会变化、这是始终用于软启动电路的恒定值。 这样、只需放置一个外部电容器即可调整启动时间。  

    因此、按照前面的10nF 示例、需要1.2ms 的输出电压才能达到3.3V。 当 Vout 达到~2.97V (90%)时、这将转换为~1.13ms、其中 PG 将保持高电平。 PG 的上升与所有这一切无关、几乎应该一步一步快速上升。 话虽如此、2.3V 是3.3V 的~69.69%、这应该是~0.836ms、从而在2.3V 到 PG 触发点之间提供1.13ms-0.836ms~0.2940ms 的近似窗口。  

    以下是使用 TPS74801型号的示例:  

    请注意,Vout~3.3V,VPG 上升~90%:  

    Vout ~1.2ms 后达到3.3V、PG 上升 到~1.07ms。  

    如果我们现在看看从2.3V 到 PG 上升的点之间的差异、我们会看到0.239ms 的差异

    现在、仿真并不完美、会有一些不准确之处、但总体而言、它提供了足够接近的估算、并显示了 PG 的行为。  

    最棒的  

    Edgar Acosta

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    Edgar、

    非常感谢您的解释。 TPS748A 的 CSS 高达100nF。 是这样吗? 获取10个数字以获得100nF 的近似数字是否简单? 我之前错过了它、但现在我看到 ISS 的典型值是7.5uA。 是否有任何关于此容差的信息(我想最大值在这里更重要、因为这会缩短时间)? 由于所有这些都是近似值、我想给自己一些缓冲区、但也不一定要"最大输出"、并且使启动时间线比需要的更长。

    谢谢。

    Bob

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    尊敬的 Bob:  

    是的、CSS 的最大建议值为100nF。  

    [引用 userid="548829" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1191247/tps75333-ep-similar-but-faster-part/4494185 #4494185"]获取100nF 的近似数字是否像获取数字 x10一样简单?

    从某种意义上讲、是的、因为 TSS=(Vref*CSS)/ISS 并且假设 Vref 和 ISS 始终为0.8V 和7.5uA。  

    我们实际上知道、Vref 和 ISS 具有一定的容差(最小值和最大值)。  

    如果电流增加、则时间会减少、因为它们成反比、因此在最大 ISS 为10uA (例如)的情况下、您的时间为8ms、而 在使用100nF 电容器时、时间为10.7ms。  

    让我来看看 ISS 的容差、并在我找到这些数据后返回给您。  

    最棒的  

    Edgar Acosta

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    谢谢 Edgar。

    当您在寻找 ISS 电流容差时、可能还可以回答另一个问题。 我查看了数据表、没有看到曲线、但我猜输出电流会随输入电压和输出电压的变化而变化。 我们最坏的情况是、在输出电压为1.0V 的情况下、将部分电压关断5V (最大5、25)。 我们可以在整个温度范围内获得什么输出电流?  

    谢谢你。  

    Bob

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    尊敬的 Bob:  

    我在 ISS 规格上找到了一些数据、似乎与7.5uA 没有太大的偏差、这意味着精度非常严格、但是、我已经联系团队确认了这一点、并确保我查看的数据也符合温度要求。  

    关于您的第二个问题、如果我错了、请纠正我、但您似乎是在要求负载调节还是功率耗散? 您能否详细说明随输入和输出电压变化的 Iout 意味着什么? 如果是负载调节、则图6-14显示了这一点:  

    如果是功率耗散、这也取决于 PCB 布局和负载、但输出电流不应随输入和输出电压的变化而变化。 它可能会影响需要的余量、这意味着它将决定您的压降电压。  

    如果是这种情况、则在最大电流1.5A、输出电压为1V 时、您需要~1.135V 或1.5V 的输入电压、以提供足够的余量并保持适当的功率耗散。  

    但是,如果考虑到热性能,则假设采用标准 JEDEC 编号、最大负载和5.25V 最坏情况和持续运行,则 PD=6.375W,这是相当大的功率耗散。 这对应于300C 的上升时间、这将立即触发热关断。  

    在给定条件下、假设最高环境温度 Ta=125C、Tj~150C、功率耗散为0.5W、 因此、Iout 不应超过~0.1176 A。这是在最高建议温度下运行的边缘、这将使器件接近热关断状态、但仍处于安全区域、以防止 过热和损坏器件。  

    如果 Ta=25C、则达到125C 的 Tj、则 PD~2.2558、这意味着 Iout~0.53A

    请告诉我您 是否正在寻找这种解决方案。  

    最棒的  

    Edgar Acosta

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    Edgar、

    我很抱歉没有提出更明确的要求。 问题是关于热问题。 我试图确定输出电流能力是仅由结温决定、还是也可能存在其他限制。 如您所示、在该输入电压和整个环境下的输出电流为1.5A 是不切实际的、因此我们需要降低输出电流。 在您的示例中、您在环境下显示的功率为2.25W。 因此、如果我们将结温保持在150°C 以下、我可以耗散2W (或更多)的功率?  

    谢谢。

    Bob

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    尊敬的 Bob:  

    不用担心、似乎我在热性能方法方面走得对了。  

    虽然绝对最大值为150C、但建议 Tj 的最大值为125C。 我们只能保证我们在 DS 中列出的内容。  

    使用150的 Tj 作为示例、防止热关断并显示一些数字。 这种情况会有所不同、尤其是因为 RJA 也会受到 PCB 布局的影响。  

    考虑到 PCB 的布局、确实在环境下可能会耗散超过2W 的电流。  如上所述、我们只能保证 DS 中列出的内容。  

    另一个需要考虑的问题是、不建议在此类条件下持续运行、因为这会直接影响器件的长期可靠性。

    最棒的  

    Edgar Acosta

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    尊敬的 Bob:  

    对于 ISS 电流、在整个温度范围内(-40C 至150C)的最小值为5uA、最大值为11uA、这是典型值7.5uA。

    最棒的  

    Edgar Acosta

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    Edgar、

    感谢你的所有帮助。 您提到 了 TPS748A 与 TPS748。  除了较新的器件 TPS748A 之外、是否存在任何显著差异?

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    尊敬的 Bob:  

    尽管两个器件之间的性能非常相似、但它们是不同的器件。 其瞬态性能、软启动特性和热性能有了一些改进。  

    最棒的  

    Edgar Acosta

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    我们可以将任何 TPS748数据与 TPS748A 一起使用吗? 例如、TPS748有一个反馈电阻值公式和一个特定常用电压表、但 TPS748A 没有? 如果我们无法使用 TPS48A 中缺失的 TPS748数据、我们将在哪里找到该数据(无需麻烦您)

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    Bob、  

    是的、您可以使用 TPS748 DS 的一部分。 我们正在研究 DS 以包含缺失的部分、从而避免查看 TPS74801器件。  

    两个器件的公式相同、Vout 电阻值表应提供相同的结果。  

    如果有任何其他问题、请随时联系我们。  

    最棒的  

    Edgar Acosta