[参考译文] BQ76952EVM：BQ76952 EVM、显示切换时 PCHG 和 PDSG 显示1.7V 差异

Anurag、您好！

PCHG 和 PDSG 在"打开"时弱下拉、在"关闭"时弱下拉。  关断时、FET 上安装的 RGS 会关断 FET。  测量相对于 GND/VSS 的引脚电压将下拉显示读数典型值的引脚。  高阻抗仪表将显示稍好的结果、从 BAT 到引脚的测量将更好地指示性能。

要对低侧使用预充电和预放电、请将 P-ch 信号 FET 与电池电压源相连。  功率电流不是切换、而是将电流拉至低侧的电阻器、以控制 N 沟道 FET、实现预充电和预放电电流。  根据需要限制信号路径中的电流、如果需要使用齐纳二极管来保护栅极。

Anurag、您好！

是的、在 G-S 电阻器上测量。

对于从高电平到低电平的转换、您可以这样做、根据需要添加二极管来阻止或限制电压。

Anurag、您好！

尽管电荷 FET 看起来相反、但功率 FET 部分似乎正常、您可能希望将所有漏极连接在一起、以便 FET 尽可能共享电流。  另外请记住、DDSG 和 DCHG 最大为5V、因此请选择逻辑电平 FET 或使用具有更高电压电源的驱动器。   如果驱动电压较低、您可能需要在充电栅极控制中使用肖特基二极管。

在预充电/放电电路中、T9和 T10的源极也需要连接到 PACK+。  您可能希望 PCHG 和 PDSG 引脚具有一定的电阻、以便将其与通过 FET 的任何瞬态隔离。  T11和 T12看起来相反(源极和漏极)。  T12源需要连接到感测电阻。  R20和 R21的公共连接可能会进入功率 FET 的共漏极、除非您希望使用所有电阻器来限制电流和扩功率。  R18是不可取的、因为它将通过电阻路径旁路 FET 和感应电阻器。 R22将为 T11产生栅极电压、考虑是否需要在其上安装齐纳二极管、因为 PACK-具有较大的电压范围。  R24看起来也不寻常。  R20上的电阻器或电阻器阵列通常提供电流限制、但使用适合您需求的电路。   

Anurag、您好！

RCHG 和 RDSG 将有助于减缓 FET 的开关速度、以避免在 DDSG 或 DCHG 开关时电池或系统产生过度的电感尖峰。  UCC27524等专用 FET 驱动器的速度通常非常快。  关断放电 FET 的 RDSG 通常是主要问题、因为放电电流可能很高、包括短路。  开启通常不是问题。  可能需要对 RDSG 进行调优、以便系统选择一个足够快的关断值、以便用于所用 FET、同时以足够慢的速度关断、从而避免电池产生较大的电感尖峰。  根据使用的 FET、1-5千欧姆的值可能是合适的起始值。  充电路径电流通常较低、导通也是一个低问题。  由于驱动器不能超过其电源电压、电荷 FET 的关断由 RDSPD 完成、有可能由 PNP 和 ROFF 提供电流增益。  如果充电电流较低、并且驱动器可接受适度的直流电流进入 RGSPD、则较小的 RGSPD 值可能会提供足够的关断。  对于 充电电流较高的电池、可能需要 PNP 提供的电流增益来帮助 FET 关断。

Anurag、您好！

原理图上的 DDSG 和 DCHG 节点上的驱动器输出使用12V 或0V 进行仿真似乎是合理的。  您可以使用负载电阻器对电池进行仿真、以将电池组或充电器电源连接到电池组、或者只需在 GND 和电池组之间放置一个电源、然后更改其极性。

如果您为仿真器发布问题(问题针对仿真器、而不是 BMS 产品)、仿真工具人员应拥有有关仿真的专家建议。