主题中讨论的其他器件:MULTIPKGLDOEVM-823、
您好!
我在 MULTIPKGLDOEVM-823板上测试 TLV75801PDBVR。 我使用典型应用、将输入和输出电容器设置为0.1uF+1uF+10uF 陶瓷电容器、并使用 R1=11K、R2=25K 来设置输出电压1.8V。
我使用输入2V、3.3V、5.4V 测试负载0A、0.25A 和0.5A、发现 LDO 的输出波形具有后槽、同时输入电压已达到导通电压。
我更改了输入和输出电容器、但凹槽始终存在。
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您好!
我在 MULTIPKGLDOEVM-823板上测试 TLV75801PDBVR。 我使用典型应用、将输入和输出电容器设置为0.1uF+1uF+10uF 陶瓷电容器、并使用 R1=11K、R2=25K 来设置输出电压1.8V。
我使用输入2V、3.3V、5.4V 测试负载0A、0.25A 和0.5A、发现 LDO 的输出波形具有后槽、同时输入电压已达到导通电压。
我更改了输入和输出电容器、但凹槽始终存在。
尊敬的 John:
非常感谢、
我之前使用电子负载进行了测试。 我在相同的测试环境下使用纯阻性负载进行测试、凹槽消失了
请参阅附录以了解波形。 e2e.ti.com/.../TLV758P_5F00_resistive-load.xlsx