请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号:LMG1210EVM-012 主题中讨论的其他器件: LMG1210
你(们)好
我的客户正在使用 LMG1210EVM-012。
他希望使用 LMG1210来操作压电式器件。
在 VOUT 中、它是否可以使方波为100V、5MHz?
此外、 在 EVM 中 FET 侧产生的热量很严重、是否有任何方法可以改善它?
等待您的回复。
谢谢。
此致。
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
你(们)好
我的客户正在使用 LMG1210EVM-012。
他希望使用 LMG1210来操作压电式器件。
在 VOUT 中、它是否可以使方波为100V、5MHz?
此外、 在 EVM 中 FET 侧产生的热量很严重、是否有任何方法可以改善它?
等待您的回复。
谢谢。
此致。
尊敬的 Robin:
对于使用 EVM 的100V、5MHz 方波、客户需要使用>100V GaN FET 更新 FET、因为板上的 FET "仅"额定电压为100V。
对于此 EVM、您可能会使用散热器来帮助实现 GaN FET 热性能。
在新电路板上、客户可以在功率级中添加更多散热过孔;尽可能减小电路板厚度、因为这与热阻直接成正比;使用厚大的顶部铜层(大于散热焊盘面积)来最大限度地减小热阻。
此致、
-Mamadou