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[参考译文] LMR36520:高侧 MOSFET 的泄漏电流

Guru**** 1828310 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/934842/lmr36520-leakage-current-of-high-side-mosfet

器件型号:LMR36520

大家好、团队、

 

您能否在禁用时共享高侧 MOSFET 的泄漏电流?

 

谢谢、此致、

米希亚基

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    您好!

    输入电压至 GND 的关断静态电流为5.3uA、其中包括高侧 MOSFET 泄漏电流。

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    Iven、您好!

     

    客户了解 ISD 包括高侧 FET 的泄漏电流、但他们想知道高侧 FET 的泄漏电流、以估算禁用时的输出电压。

    请分享数据。

     

    谢谢、此致、

    米希亚基

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    您好!

    我知道、但我们没有这些详细数据。 通常情况下、客户将在输出中使用电阻分压器、该电阻比 MOSFET 的关断状态电阻小得多(几百千欧)、因此输出电压将为0V。