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[参考译文] LM5109B-Q1:LM5109B-Q1用作高侧栅极驱动器

Guru**** 1956050 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5109B-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/935108/lm5109b-q1-lm5109b-q1-as-a-high-side-gate-driver

器件型号:LM5109B-Q1

客户希望将 LM5109B-Q1用作高侧栅极驱动器。 请确认低侧驱动器是否可以保留为"不连接"或"接地"? 这是否会对电荷泵产生任何影响、从而影响高侧驱动器? 此外、MOSFET 位于48V 总线上、需要在10ms 内开启、请确认器件可以管理此时序要求。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Taru、

    如果您将 LI 输入接地并使 LO 保持悬空、则 LM5109B-Q1仅可用作高侧驱动器。 您能否澄清一下电荷泵影响高侧驱动器的影响是什么意思? 您能否提供您所参考的电荷泵的原理图?

    高侧驱动器可以支持您提到的时序、但高侧偏置(HB-HS)需要保持在 UVLO 阈值以上。 上述电荷泵是否用于为 HS 高侧偏置提供 HB?

    确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

    此致、

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