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器件型号：CSD13380F3 数据表仅在25°C 时指定最大 IDSS 和 IGSS。 我需要知道0至50 (或40)摄氏度时的最大值。
如果您有关于泄漏更低的其他微型 NMOS 和 PMOS 的提示、这也是值得欢迎的。
数据表仅在25°C 时指定最大 IDSS 和 IGSS。 我需要知道0至50 (或40)摄氏度时的最大值。
如果您有关于泄漏更低的其他微型 NMOS 和 PMOS 的提示、这也是值得欢迎的。
尊敬的 David：
感谢您关注 TI FET。 正确的是、TI 未对温度范围内的泄漏进行规格说明。 在产品开发过程中、会在数据表中对多个样片进行温度范围测试。 附件汇总了此表征期间测量的最大 IDSS 和 IGSS。 请注意、TI 无法保证这种性能、因为数据表中未指定这种性能。 我们仅保证在25摄氏度时 IDSS<50nA 和 IGSS<25nA、如数据表中所述。 CSD13380F3可能是 TI 制造的泄漏最低的小型工厂 N 沟道 FET。 通常、具有单端栅极 ESD 结构的 FET 具有非常低的泄漏、而具有背靠背栅极 ESD 结构的 FET 具有更高的泄漏。 我还在其中添加了一个指向有关 TI FET 栅极 ESD 结构的技术文章的链接。
e2e.ti.com/.../CSD13380F3_5F00_Leakage.pdf
尊敬的 David：
再次感谢您关注 TI FET、但遗憾的是、我们不会制造 FET 阵列。 FemtoFET 都是单个 MOSFET 器件。 TI 的 FET 产品包括单通道器件和有限数量的双通道器件(独立半桥、共源极和共漏极)。 以下链接列出了所有双 FET。
