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[参考译文] UCC27710:最大限度减少热量的技巧

Guru**** 1637200 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27710, LM5109A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/933521/ucc27710-tips-to-minimize-heat

器件型号:UCC27710
主题中讨论的其他器件: LM5109A

我有一位客户使用 UCC27710、他们最近推出了板设计、以更好地匹配 EVM 的 建议原理图和布局、但在正常运行期间、IC 仍会出现相当大的发热(30-40C 温升)。 它们使用19V 或15V VCC 以及220nF 自举电容器和2.2 Ω 电阻器驱动一组 AON6512 MOSFET、适用于 VCC 并与 自举二极管串联。 它们没有任何栅极电阻来保持 FET 高效运行、想知道您是否可以确认它们在该器件上应该出现何种温升、以及您是否有任何技巧来最大限度地减小 UCC27710的热升。  非常感谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、

    感谢您对 UCC27710栅极驱动器的支持。 为了确定栅极驱动器功率耗散、需要使用栅极电荷、VDD 电平和开关频率来计算功率耗散。 UCC27710数据表9.2.2节提供了在选择组件值和估算功率耗散方面的指导、以及如何确定给定应用中的结温。 可通过以下链接找到数据表。

    https://www.ti.com/lit/ds/symlink/ucc27710.pdf?ts=1597936389083&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F

    220nF 的启动电容值足以驱动 AON6512 FET 的栅极电荷、Qg 为53nC。

    在改善热性能方面、外部栅极电阻的作用是将外部电阻器和驱动器 IC 中的栅极驱动功率分离、从而降低 IC 功率耗散。 也许客户可以尝试相对较低的栅极电阻来不会对 Vgs 的上升和下降时间产生太大的影响、并且仍然从 IC 中移除一些电源。

    从布局的角度来看、大多数功率耗散都在驱动器输出级中。 对驱动器最有利的热路径是 COM 引脚和 VDD 引脚、以及高侧驱动器的 HS 引脚和 HB 引脚。 具有较大的迹线连接、或者在 COM 连接到小型接地层的情况下、将降低应用板到环境电阻的热阻。

    我看到前面提到的 FET 额定电压为30V、有额定电压为100V 的半桥驱动器、它们具有带散热焊盘的封装。 客户能否考虑使用额定电压为100V 的半桥驱动器? UCC27710是否有其他驱动程序中可能未提供的对其很重要的功能?

    确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

    此致、

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    Richard、

    我看到了类似的情况、我们选择 UCC27710的唯一原因是它与另一个驱动器的封装兼容、但死区时间显著缩短。 您能否按照所述推荐100V 器件?

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    您好 Ben、

    我了解引脚兼容的注意事项。 LM5109A 是一款具有 SOIC8引脚兼容封装和热阻较低的 SON 封装的驱动器。 但是、该器件没有互锁和死区时间功能。

    此应用是否需要互锁和死区时间? 如果需要死区时间、则可能无法选择100V 驱动器。

    确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

    此致。