主题中讨论的其他器件: TL1963A、 TPS7A45
大家好、团队、
TI 的一些 LDO 具有 NR 引脚、可实现 TPS7A47等低噪声性能。 但是、其在低频区域的噪声降低有点弱。 例如、LT1963A 具有平坦的噪声频谱密度、在低频区域的电平小于0.1uV/rtHz。 如果客户对低频噪声感兴趣、我们是否有更好的方法来使用具有 NR 引脚的 LDO 在低频下实现低噪声?
还是在这种情况下介绍 TPS7A45或 TL1963A 更好?
此致、
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大家好、团队、
TI 的一些 LDO 具有 NR 引脚、可实现 TPS7A47等低噪声性能。 但是、其在低频区域的噪声降低有点弱。 例如、LT1963A 具有平坦的噪声频谱密度、在低频区域的电平小于0.1uV/rtHz。 如果客户对低频噪声感兴趣、我们是否有更好的方法来使用具有 NR 引脚的 LDO 在低频下实现低噪声?
还是在这种情况下介绍 TPS7A45或 TL1963A 更好?
此致、
尊敬的 Sato-San:
使用前馈电容器是帮助进一步降低噪声的一种好方法。 我们的 LDO 基础知识系列对此进行了讨论。
增加 CNR 电容器也会有所帮助、但这会增加软启动时间。 TPS7A47的一个优势是它具有 ANY 输出功能。 这意味着您可以在不使用反馈电阻器的情况下设置 VOUT、这也会给系统增加一些热噪声。
但愿这对您有所帮助。