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[参考译文] LMG1020：MOSFET 导通时、Vgs 从4.8V 下拉至3V

admin
Guru**** 2585275 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/931496/lmg1020-the-vgs-is-pulled-down-form-4-8v-to-3v-when-mosfet-turn-on

器件型号：LMG1020

您好、Jeffery、

  今天我遇到了一个困难的问题、想寻求您的帮助。

  问题就像这样。 如下图所示、我使用1020来驱动 epc2022来控制 LD (此处使用 LED)。 当 R2断开且 VDS 未通电时、驱动信号在1020后输出为4.8V、 但当我连接 R2 时、其他条件与上述相同)、VSW 信号幅值被下拉至3V、我还更换了 MOSFET、1020现象仍然相同、您认为原因是什么？

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    TI__Guru**** 2585275 points
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    您好、Suy、

    感谢您的联系。

    您能否确认 VDD (我假设使用5V 电源)和 INP 连接？ 您能否确认 R3为0欧姆。  

    R2短接且 VDS 未通电(由 V2电源供电)时、您在栅极会得到什么结果？

    此致、

    -Mamadou

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    TI__Guru**** 2585275 points
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    您好、 Mamadou、

     感谢您的回复。

      我为 VDD，使用外部5V 电源、INP 输入为脉冲信号（4ns，5V，RPF=20kHz），我测量的 U5输出幅值为4.7V、无论 MOS 管是否导通。 我确认的 R3，它为0欧姆。

     当 R2短接，无论  是否存在 VDS、栅极驱动信号始终拉至3V。

      我发现、当触发脉冲宽度非常窄时、Vgs 振幅将非常低。 下图显示了 Vgs 在驱动脉冲宽度为100ns 和500ns 时的波形。但我仍然无法理解 Vgs 为什么上升得如此缓慢。 我的布局可能会有问题吗？ (绿色是 Vgs 波形、黄色是驱动信号)

      

    我的实际电路类似于低于：Ω

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    TI__Guru**** 2585275 points
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    您好、Suy、

    感谢您提供详细信息。

    您知道、电路的电感肯定会影响信号。 根据电感的来源、您的边沿和/或振铃可能要慢得多。 我们通常建议使用粗布线进行非常短的连接、因为 PCB 电感与布线长度和宽度成反比。  

    我的同事在随附的应用手册中讨论了如何最大程度地减少布局相关的寄生。

    https://www.ti.com/lit/an/slla456/slla456.pdf

    另一个需要检查/考虑的问题是、作为完整性检查、您可以尝试查看 VSW 测试点、然后直接在引脚上比较驱动器 IC 的上升/下降时间、以确认差分/延迟的大小(0欧姆电阻器、我假设您使用的是0402电阻器) 从驱动器输出到栅极的迹线电感将会引入您的电路中。

    如果您有其他问题、请告知我们。

    此致、

    -Mamadou

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    TI__Guru**** 2585275 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Mamadou，

      Tnaks 以获取您的回复。

      我认为 PCB 走线会导致 Vgs 的上升沿降低，μ s、因此我将更改布线。