您好!
UCC27211用于升压拓扑。
引脚8:LS MOS 驱动器
引脚3:HS MOS 驱动器
LOW_L3:连接至 SW
Ch4 =电感器电流、Ch2 = LS MOS (SW)的 Vds、Ch3 = LS MOS 的 Vgs Ch1 = R11两端的电压。
从波形中可以看出、当 LS MOS 关断时、漏极_L3到 IC 的电流为5.5A。
1、电流的原因是什么?
2、电流对 IC 本身有影响吗?
谢谢。
BRS
假设
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您好!
UCC27211用于升压拓扑。
引脚8:LS MOS 驱动器
引脚3:HS MOS 驱动器
LOW_L3:连接至 SW
Ch4 =电感器电流、Ch2 = LS MOS (SW)的 Vds、Ch3 = LS MOS 的 Vgs Ch1 = R11两端的电压。
从波形中可以看出、当 LS MOS 关断时、漏极_L3到 IC 的电流为5.5A。
1、电流的原因是什么?
2、电流对 IC 本身有影响吗?
谢谢。
BRS
假设
您好、
我没有看到示波器波形图以及 POST 信息。 我确实看到了原理图、但没有看到波形。
问题似乎是漏极 L3与 IC HS 引脚之间可能存在高电流。 您能否确认此电流是否由 R11两端的电压决定?
如果不查看波形、就很难详细评论。 但 R11上的电压测量会受到噪声的影响、因此探测必须非常靠近电阻器端子。 此外、两个电阻器端子上可能都存在高共模电压、因此必须使用差分探针。
您能否在通道描述中包含引用的范围图?
此致、
您好、
在您显示的示波器图中、R11两个可能的电压原因。 引导电容器通过 VDD 电容器的路径通过引导二极管充电、并在开关节点切换到接地时通过开关节点为引导电容器充电。 由于在到 HS 的引导电容器连接和低侧 MOSFET 的漏极之间有电阻器、因此引导电容器充电电流流经 R11。
此外、HO 栅极驱动电流从 HB 电容器流经驱动器器器件、返回电流路径为 HS 引脚。 在打开或关闭 HS MOSFET VGS 时、HO 栅极驱动电流将流经 R11。
我认为 R11两端的电压要么是进入引导电容器的引导电容器充电电流、要么是预计从 IC HO 引脚流出的 HO 栅极驱动电流。
此致、
您好 Richard、
感谢您的回复。
仍然需要更详细的解释。
1.使用差分探头测量 R11,因此不应有共模噪声。
2.客户在下面 B-C 中的主要问题。
在 A-B 中、Ch2 (LS MOS 的 VDS)较低、R11上的电压由引导电容器充电电流引起
在 B-C 中、
A. Ch2开始上升、流经 R11的电流相反、不应是引导充电电流。
b. HO 为低电平(Ch1)(请参阅下面的波形)、它不应是 HO 栅极电流、因此我怀疑它在 IC 本身中是自举二极管反向电流。 这是合理的吗?
在 D 中、HO 上升、流经 R11的电流为 HO 栅极电流。
谢谢。
BRS
假设
您好、
感谢您指出客户问题。 检查后、我认为您的假设是正确的。 就在"B"之前、R11两端的电压对应于引导电容器充电电流、并且不会下降到接近零。 当 HS 上升时、引导二极管需要关闭、R11电压反转可能是引导二极管反向恢复电流。
许多差分探头仍然会受到共模噪声的影响、除非您有非常昂贵的探头。 我仍然会确认探头中是否有信号拾取、因为这是在相当快的电压上升时间发生的。 您只需将两个探针连接到 HS 节点、然后查看差分测量上是否存在感应电压即可实现上述目的。
此致、