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[参考译文] LM5170-Q1:栅极驱动修改

Guru**** 2448780 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG1205, LM5170

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/929403/lm5170-q1-gate-drive-modifications

器件型号:LM5170-Q1
主题中讨论的其他器件:LMG1205LM5170

尊敬的专家:

我对内置 LO1和 HO1驱动器有疑问。  驱动器由 VCC 供电。  在我的案例中、这是12V。  我想为此使用 GaN FET、我看到的唯一障碍是栅极驱动电压不允许超过6V (理想情况下、它们将以5V 的电压驱动。  如果我想在不影响驱动电流的情况下减小栅极脉冲的输出电压、是否可以将齐纳二极管与栅极串联以降低电压? 此外、我可以在来自 G-S 的5V 电压下放置齐纳钳位

在当前形式中、LO1和 HO1应 接近12V。

我能否为 SW1和 HB1创建浮动5V 电源? 但我仍然不能想到 LO1的解决方案。   此外、在某些模式下、我认为这里有 UV 限制? 这可以被绕过吗?

我们非常希望在这里提供一些指导。

此致

阿特

 

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    您好、阿特迪斯、

    感谢您考虑使用 LM5170。  但是、它无法直接驱动 GaN FET。  您将需要使用 LMG1205等 GaN 驱动器、并使用 LM5170的驱动器输出作为驱动器的输入。  

    https://www.ti.com/product/LMG1205#tech-docs

    谢谢、

    应用工程学 Yohao Xi