• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 1 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 58 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TLV757P：TLV75718PDBVR 热问题

admin
Guru**** 2390735 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/929102/tlv757p-tlv75718pdbvr-thermal-issue

器件型号：TLV757P

尊敬的 TI：

我们使用 SOT-23封装，我们的客户询问我们，我们使用什么参数来计算热温度？

如果我们测量 IC 表面、您建议使用什么参数来计算结温？ RJC (顶部)或 Ψjt Ω？

BR、

Jhonny

  • 0
    TI__Guru**** 2390735 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Jhonny、

    Ψjt 是要使用的正确参数。 TJ=Tc+(Ψjt μ V*PD)、其中 PD 是功率耗散(VIN-VOUT)*ILOAD。

    我希望这能回答你的问题。