[参考译文] CSD23280F3：了解有关 CSD23280F3的更多信息

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Other Parts Discussed in Thread: CSD23280F3, LM3475

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1196656/csd23280f3-ask-more-information-about-csd23280f3

器件型号：CSD23280F3
主题中讨论的其他器件： LM3475

您好！
我们已购买您的产品部件 CSD23280F3、我们需要如何在饱和模式下配置(最佳配置)它、以便更好地使用、
如果您可以为我们提供一个在开关模式下应用您的组件的示例。

有关 VDS、VGS (TH)温度系数(mV/C°)的其他信息？

谢谢
此致

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2387400 points

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您好 Fatma、

感谢您关注 TI FET。 MOSFET 的饱和区定义为：|VDS|>|Vgs -Vth|。也称为线性模式运行、ID 与 VDS 相比大多是恒定的。这是一种高功率损耗运行模式(P = VDS x ID)、因为同时存在 FET 两端的电压和电流。开关模式运行将 FET 从截止(Vgs < Vth)驱动至线性区域(|VDS|<<|Vgs - Vth|)、并短暂穿过饱和区域。功率损耗是由 FET 导通(I² x RDS)和开关导致的。例如、使用 PMOS 开关的降压转换器、如 TI 控制器 LM3475数据表中所示。

CSD23280F3针对负载开关应用进行了优化、在这些应用中、它用于通过电池等电源为负载提供(开启或关闭)电源。虽然它很可能在线性模式或开关模式应用中工作、但我没有任何特定的示例或数据。阈值电压与温度间的关系如 CSD23280F3数据表第5页的图5-6所示。根据数据表第3页电气特性表中 Vds = Vgs、ID = 250μA Ω 且 T = 25°C 的规定、对阈值电压进行了测试和保证。

我将在下面添加一些可能有用的文章的链接。请告诉我是否可以提供进一步的帮助。

https://eepower.com/technical-articles/understanding-linear-mosfets-and-their-applications/

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/when-to-use-load-switches-in-place-of-discrete-mosfets

此致、

John Wallace

TI FET 应用

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