你(们)好。
我们正在阅读数据表、并尝试通过该器件获得良好的性能。 下面是我参考的数据表。
https://www.ti.com/lit/ds/symlink/lp87524j-q1.pdf?ts=1676360173340
在图 79.我在下面粘贴。 4MHz 音调小于2uV。 这远低于4mV 输出电压纹波、如同一数据表第7页的规格表所示。 您能告诉我如何实现这一性能吗?
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你(们)好。
我们正在阅读数据表、并尝试通过该器件获得良好的性能。 下面是我参考的数据表。
https://www.ti.com/lit/ds/symlink/lp87524j-q1.pdf?ts=1676360173340
在图 79.我在下面粘贴。 4MHz 音调小于2uV。 这远低于4mV 输出电压纹波、如同一数据表第7页的规格表所示。 您能告诉我如何实现这一性能吗?
您好、Hank、
有关完整的建议、请参阅数据表的"布局"部分。 最重要的建议是#1和#2:
"一. 将 CIN 尽可能靠近 VIN_Bx 引脚和 PGND_Bxx 引脚放置。 将 VIN 迹线布线为宽而厚、以避免 IR 压降。 输入电容器的正节点和 LP87524B/J/P-Q1的 VIN_Bx 引脚之间的走线以及输入电容器的负节点和电源 PGND_Bxx 引脚之间的走线必须尽可能短。 输入电容为开关转换器提供低阻抗电压源。 连接的电感是本地去耦电容器的最重要参数-这些走线上的寄生电感必须尽可能小、以确保器件正常运行。 通过在顶层和接地层之间使用薄介电层、可以使用尽可能靠近顶层的接地层来降低寄生电感。
由 COUT 和 L 组成的输出滤波器将 SW_Bx 上的开关信号转换为无噪声输出电压。 必须将其放置在尽可能靠近器件的位置、使开关节点保持较小、以实现最佳的 EMI 行为。 在 LP87524B/J/P-Q1输出电容器和负载之间直接较宽的布线、以避免因 IR 压降而导致的损耗。"
谢谢、
Daniel W