[参考译文] UCC21710：输出峰值电流

您好、Sasikala、

感谢您的回复。

 我有几个问题：

1.对于2个驱动器的情况，您能否详细解释您提到的“并行路径中的不平衡电流”？ 您是指驱动器输出电流的不平衡电流吗？ 最坏的情况是什么？

 2.关于 BJT 的方法：例如、在 IC=5A、IB=0.5A 时、MJD44H11/MJD45H11的延迟和上升时间为300ns/135ns、根据这些规格、我们能否满足 SiC MOSFET 的上升和下降时间<50ns？

非常感谢。

您好、Tian、

1、这意味着流过的不均匀漏极/负载电流会使2个 FET 掉电。 基本而言 、建议保持两个 FET 同时导通。

如果一个 FET 先导通、   该 FET 会消耗更多的开关损耗、并在开关转换期间出现更高的应力。 这是因为受扰的 FET 可能会断开。

请参阅 技术 文档中共享的下图  

根据峰值电流、VGS 电压阈值达到时间将发生变化、如果驱动强度更高、则栅极电压 上升速度更快。

总上升时间 将同时考虑 驱动器的输出上升时间+负载电容等 因此它不能比数据表中定义的速度快。

您能否解释 一下为什么开关的上升时间要求必须小于50nsec？

谢谢

Sasi

您好、Sasi、  

我们使用小于50ns 的上升时间来最大限度地降低功率 SiC FET 的开关损耗。

谢谢。

您好、Tian、

如果您想在15A+的驱动强度下计划小于50nsec 的上升时间、我不推荐任何特定 的隔离式栅极驱动器。

您能否就开启、关闭时序、 电压和额定功率提出您的系统要求？ 以便我们能够了解系统用例？  

谢谢

Sasi

您好、Sasi、

我们的系统是一款直流/直流转换器、具有几个10kW 功率、导通时间、关断时间约为100us 至200us。

如果我们更改上升时间<100nsec 的要求、我们的应用是否有任何非隔离式栅极驱动器？

谢谢。

您好、Tian、

感谢您提供更多详细信息。 这是否意味 着系统不需要隔离式驱动器？ 工作电压是多少？  

如果您认为上升时间小于100nsec、我们确实提供了几个功能安全隔离式栅极驱动器、 驱动强度大于15A。

https://www.ti.com/power-management/gate-drivers/products.html#p1250=SiCFET&p480=1

请在上面的链接中查看我们的产品系列。  15A+驱动强度驱动 器具有其他功能、这可能会超出您的要求。

您或 您的团队是否与您项目的任何现场应用工程师合作？ 以便我们能够完全了解您的用例并推荐合适的驱动器。

谢谢

Sasi

你(们)好

我们的系统实际上需要隔离。 最大隔离工作电压为1600VDC。 但是、如有必要、非隔离式驱动器和外部隔离器也是可接受的。

感谢您的链接。 我们的设计不需要30A (UCC5871-Q1)或20A (UCC5880-Q1)驱动强度驱动器的 SPI 接口等附加功能。

有关 UCC5390-Q1的问题：

该驱动器的驱动强度是10A 还是17A？ 日期表第1页上的说明为10A。 第8页的电气技术规格显示10A 最小17A 典型值。 第21页的设计示例使用17A。

该驱动器是否适合我们的设计？

我们的项目没有 TI 的现场应用工程师。

谢谢。

您好、Tian、

是 的、UCC5390-Q1峰值电流为17A 典型值-这意味着在整个温度/电源电压范围内->它可能会因数据表中所示的最小值和最大值而异。

您提到最大功率仅为10s KW、最大 工作电压为1600VDC、因此我认为负载电流不是很高、我很好奇您为什么需要并联2个 SiC 驱动器。 您计划开始使用哪种参考设计-您能否共享信息？

您能否分享您正在与哪个公司合作-可能有与该公司关联的 FAE？

您的最终应用是什么？ 共享系统级要求可能会引导正确的人员。

谢谢

Sasi

您好、Sasi、

感谢您对 UCC5390-Q1峰值电流的解释。 数据表中 UCC21710只有一个典型值。 这是否意味着偏差(跨温度/电源等 )很小？ 或未经过测试/未知？

1600VDC 是系统隔离工作电压、不是系统/负载输出电压。 我们直接与 SiC FET 制造商合作、所选 FET 需要高峰值电流。 我们刚刚开始设计、因此我们很早就应该说详细信息了。

谢谢。

你(们)好

感谢您的 tips 和支持。