我们将此部件用于便携式医疗设备 、用于电源路径管理和为单节锂离子电池充电。 医疗设备的充电器和主电源是5V 直流输出壁装适配器。 电池组位于器件内部。 电池组具有一个热敏电阻、可将温度信息传输到 IC。
在电池组的高温高于45°C 时、BQ25995 IC 似乎从系统中切断电池、当外部电源断开时、我们会看到一个黑色 LED。
当检查示波器波形时、我们认为 BATFET 被 IC 关闭、从而隔离电池并 防止其为系统供电。
我正在寻找解决此问题的指南、因为我无法在数据表中找到任何解释或解决方案。 数据表的第8.2.7.5节指出、充电将在高温阈值处暂停、但对 BATFET 切断没有任何意见。 热敏电阻 温度远低于 BHOT 阈值、BATFET 应切断以保护电池在高温下放电。
感谢您的观看。 当在数据表第9页上发布的 VHTF 阈值上暂停充电时、电池也被隔离在电源路径中、如果没有外部直流电源提供电源、这将切断系统电源。
James、您好、 一旦达到温度阈值、VSYS 就会降至2V。 稳态 Isys 电流为250mA、短期内峰值电流可高达500mA。 我已连接示波器捕获、显示黄色= VBAT、粉色= IBAT、绿色= VSYS、蓝色= VBUS。 这是室温下的情况。 在触发点、外部5V 适配器被移除、VBUS 开始下降。 
您将在高温充电暂停阈值下获得具有相同参数的捕获。
与上述相同的信号捕获、但在43°C 的高温环境下除外。 它显示 VSYS 在 VBUS 被移除几毫秒后会关闭。
Ashish、您好！
这是我在 TS 引脚保持在温度阈值之外时捕获的示波器捕获。 在触发点、我断开适配器连接、以查看 VSYS 是否与 VBUS 同时崩溃。
在捕获开始时、由于 TS 引脚阈值、IBAT 为0A、但一旦适配器输入被移除、BATFET 会自动打开、以便电池为 SYS 负载供电。
由于电池通过 BATFET 放电、VSYS 将降至刚好低于电池电压。
在整个序列中、我将 TS 引脚保持在正常温度范围之外。 然而、一旦适配器被移除、BATFET 不会阻止电池为 SYS 供电。
ISYS 始终= 250mA、VBAT = 3.27V。
您能否在遇到 VSYS 崩溃之前和之后提供所有寄存器值？
此致、
James
尊敬的 James：
你的兴趣。 VSYS 和 PMID 引脚上有多少电容？ 最后、我们仍然看到 BATFET 切断了电池、从而防止了电源 VSYS。 我们通过在热敏电阻引脚输入端使用0-10K 电位计而不是电池热敏电阻来确认该问题不是由系统引起的。 我们将电阻降低到充电暂停阈值，在 IC 处于充电暂停模式后，我们移除了适配器并看到同样的行为。 上面的绿色波形是 VSYS、黄色是电池、蓝色是 VBUS、粉色是 IBAT。
Ashish、您好！
继续并分享您的原理图、以便我了解一下。
[引用 userid="534094" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1190687/bq25895-batfet-turns-off-abruptly-at-battery-temperature-of-45degc/4497763 #4497763"]您在 VSYS 和 PMID 引脚上具有多少电容？[/quot]我使用 BQ25895EVM 来检查行为。 用户指南的第18页提供了原理图。
[引用 userid="534094" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1190687/bq25895-batfet-turns-off-abruptly-at-battery-temperature-of-45degc/4497767 #4497767"]寄存器设置中是否有任何可能导致此行为的内容？如果您启用了升压模式、请尝试通过设置 REG01[7：6]= 11b 来禁用升压模式温度监测、以确保这不是转换到 OTG 模式的问题。 如果您的 VBUS 低于 VBAT + VSLEEP、则假定满足 数据表第8.2.5节中的所有其他条件、这将触发升压模式(OTG 模式)。
[引用 userid="534094" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1190687/bq25895-batfet-turns-off-abruptly-at-battery-temperature-of-45degc/4497778 #4497778"]电池电量低、电压小于3.5V[/quot]时不会发生此问题。根据 VBAT 是高于还是低于 BATLOW 来检查行为是否发生变化。 这也与升压模式行为有关。
谢谢、我将在这些准备就绪后再看一下。
此致、
James
Ashish、您好！
我查看了原理图、并有几个注意事项：
在您提到的条件下测试 EVM 后、我看到了两种行为、具体取决于 BHOT/BCOLD 位设置。
1) REG01[7：6]= 10b；VBUS = 5V、VBAT = 4V、ISYS = 250mA、IPMID = 100mA
2) REG01[7：6]= 11b； VBUS = 5V、VBAT = 4V、ISYS = 250mA、IPMID = 100mA
根据两种不同的情况、我建议在示波器捕获中检查 REGN 和 TS 引脚电压、以查看 VREGN 在过热事件期间的变化百分比。
此致、
James
您好 James，我们看到您在上述帖子中在评估板上观察到的行为相同。我们在过去几天了解 到，在充电器 IC 处于充电暂停状态时打开 OTG (温度故障 NTC 故障状态=110–TS HOT) 导致 BATFET 关闭、VSYS 切断。 导致故障的是打开 OTG 的状态。 故障并非仅由外部电源断开引起、除非充电器配置为在外部电源断开时自动开启 OTG。 将电感器的值更改为2.2uH 似乎不会修复此行为。
我们还进行了一个实验、其中将 BHOT 保护配置为有效、65C 阈值、将热敏电阻引脚的温度仿真为高于45C 的充电暂停阈值、并通过 OTG_CONFIG 位手动打开和关闭 OTG。 我们在 A 和 B 这两种情况下开启 OTG
情况 a)充电器 IC 正在对电池热敏电阻的温度进行采样。 VBUS 上无输入。
情况 B)、当充电器 IC 未对电池热敏电阻的温度进行采样时。 VBUS 上无输入。
BATFET 切断问题始终发生在 A 情况下、而在 B 情况下似乎从未发生过
在随附的示波器屏幕截图中、
通道1 (黄色) VBUS
通道2 (绿色) PMID
通道3 (蓝色) 系统
通道4 (红色) TS
当只使用 软件启用 OTG、同时与温度采样保持一致(REGN 也相应地出现)、 VSYS 被切断。 我们不确定为什么只有在与采样一致时才会发生这种情况。 这种行为的原因可能是什么？ 想知道 您是否能够在评估板上复制它？
此外、尝试了解器件在热敏电阻温度为45C 时处于充电暂停状态时发生这种情况的原因、即使温度远低于65C 的 BHOT 保护设置。 当器件 未 处于充电暂停状态时、似乎不会发生这种情况。
此外、我在上述帖子中有一个小拼写错误、NTC 故障状态=010而不是110。
下面的第二个示波器截图是使用充电器芯 片上的外部 OTG 引脚手动启用 OTG。在仅使用硬件启用 OTG 的同时与 TS (和 REGN)保持一致、BATFET 切断并丢弃 VSYS。 您可以在末尾的第3个采样脉冲上看到这一点
、
Ashish、您好！
读取用于断开 VBUS 的寄存器表示 OTG、因此 VSYS 由于升压模式温度超出 BHOT 电平而关闭。 当 NTC 故障= TS 热时移除 VBUS 后、BATFET_DIS = 1可以看出这一点。
OTG 输出与 REGN 和 TS 一起进行的下波捕获显示了器件如何在 VBUS 仍然连接的情况下检测到 TS 超出 BHOT 阈值。 在捕获中、TS =充电期间 REGN 的33%(BHOT 设置为31.25%)、但由于移除 VBUS、TS%超过阈值、导致 BATFET 关闭、VSYS 崩溃。
当在短时间内采样 TS 和 REGN 时、如果 VBUS 被移除、并且 ADC 转换率(REG02位6)= 1 (对于连续模式)、则会发生类似的情况。 您提到、只有在器件对温度进行采样时才会看到问题。 作为一种权变措施、更改 ADC 转换速率位= 0应允许您正确进入 OTG 模式。
如果您设置 REG02位6 = 0、您能否检查您是否仍然看到问题。
此致、
Garrett
