[参考译文] BQ76952EVM：BQ76952接口

Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO, BQ76952

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1198284/bq76952evm-bq76952-interface

您好、Matt、

我们正在使用 BQ7695203及其工作状态、但在插入/移除电池连接器/电池输入连接器一段时间后  、器件无法与 MCU 通信。

我们观察到 VREG18 o/p 为0.6 V，正常情况下电压为1.8 V。 并且状态在多次打开/关闭后保持不变(在用新的 BQ 通信重新启动后，BQ 会重新开始。)

我们使用 LDO 为外部 VREGIN 提供~5.39V DC 电源。

R199、R202 -1K

R148-4.7K

U23 --未安装

R161 -4.7K

请检查随附的原理图并提供您的输入以进行更正。

2：我还在使用低侧 MOSFET 驱动器，并使用 CHRG 和 DCHRG 命令，是正确的，或者需要更改此项–e2e.ti.com/.../schematic-BQ.pdf

3：上电时的 BQ 初始化代码

void BQ769x2_Init (void)
｛
float tempRegValue=0；
//配置器件 RAM 中的所有参数

//进入 configupdate 模式(子命令0x0090)-需要处于 CONFIG_UPDATE 模式才能对器件 RAM 设置进行编程
//有关 CONFIG_UPDATE 模式的完整说明，请参阅 TRM
CommandSubcommands (SET_CFGUPDATE)；

//进入 CONFIG_UPDATE 模式后、可以对 RAM 寄存器进行编程。 对 RAM 进行编程时、校验和和长度也必须为
//编程以使更改生效。 BQ769x2 TRM 中详细介绍了所有 RAM 寄存器。
//查找说明的一种更简单的方法是在 BQStudio Data Memory 屏幕中找到。 将鼠标移到寄存器名称上时、
//屏幕上将弹出对寄存器和位的完整说明。

//“电源配置”- 0x9234 = 0x2D80
//设置 DSLP_LDO 位可使 LDO 在器件进入深度睡眠模式时保持活动状态
//将唤醒速度位设置为00以获得最佳性能
BQ769x2_SetRegister (PowerConfig、0x2D80、2)；
//“默认报警掩码”- 0x0.82启用 FullScan 和 Adscan 位，默认值= 0xF800
BQ769x2_SetRegister (DefaultAlarmMask、0xF882、2)；

//'re 4/0 Config'-设置 REG0_EN 位以启用前置稳压器
BQ769x2_SetRegister (REG0Config、0x00、1)；


//设置 DFETOFF 引脚以控制 CHG 和 DSG FET - 0x92FB = 0x42 (设置为0x00以禁用)
BQ769x2_SetRegister (DFETOFFPinConfig、0x42、1)；

//设置 ALERT 引脚- 0x92FC = 0x2A
//这会将 ALERT 引脚配置为在启用时驱动高电平(REG1电压)。
//当触发保护或提供新的测量值时、ALERT 引脚可用作 MCU 的中断
BQ769x2_SetRegister (ALERTPinConfig、0x2A、1)；

//将 TS1设置为测量电池温度- 0x92FD = 0x07
BQ769x2_SetRegister (TS1Config、0x00、1)；

//将 TS3设置为测量 FET 温度- 0x92FF = 0x0F
BQ769x2_SetRegister (TS3Config、0x00、1)；

//将 HDQ 设置为测量电池温度- 0x9300 = 0x07
BQ769x2_SetRegister (HDQPinConfig、0x00、1)；// EVM HDQ 引脚上未安装热敏电阻、因此设置为0x00

//启用 int Temp 作为 FET temp /电芯保护的内部温度- 0x9303 = 0x1E
//user mV =10mV、用户 A =10mA
BQ769x2_SetRegister (DAConfiguration、0x1E、1)；

//'VCell Mode'-启用16节电池- 0x9304 = 0x0000；写入0x0000会设置16节电池的默认值
BQ769x2_SetRegister (VCellMode、0x0000、2)；

//在"Enabled Protections A"中启用保护0x9261 = 0xBC
//启用 SCD (短路)、OCD1 (放电过流)、OCD2、OCC (充电过流)、
// COV (过压)、CUV (欠压)
BQ769x2_SetRegister (EnabledProtectsA、0xFC、1)；

//启用'Enabled Protections B'中的所有保护0x9262 = 0xF7
//启用 OTF (过热 FET)、OTINT (内部过热)、OTD (放电过热)、
// OTC (充电过热)、UTINT (内部欠温)、UTD (放电欠温)、UTC (充电欠温)
BQ769x2_SetRegister (EnabledProtectsB、0xF7、1)；
//禁用'Enabled Protections C' 0x9263 = 0x00中的所有保护
BQ769x2_SetRegister (EnabledProtectsC、0x00、1)；

//Enable/Disable 'Charge FET'中的所有保护0x9265 = 0x98
BQ769x2_SetRegister (CHGFETProtectsA、0x98、1)；

//Enable/Disable 'Charge FET'中的所有保护0x9266 = 0xD5 //禁用所有保护
BQ769x2_SetRegister (CHGFETProtectsB、0xD5、1)；

//Enable/Disable 'Charge FET'中的所有保护0x9267 = 0x56 //禁用所有保护
BQ769x2_SetRegister (CHGFETProtectsC、0x56、1)；


//Enable/Disable 在"充电 FET "中的所有保护0x9269/0x926A/0x926B=默认设置
BQ769x2_SetRegister (DSGFETProtectsA、0xE4、1)；
BQ769x2_SetRegister (DSGFETProtectsB、0xE6、1)；
BQ769x2_SetRegister (DSGFETProtectsC、0xE2、1)；

BQ769x2_SetRegister (FETOptions、0x0D、1)；

//启用电荷泵和电荷泵电平5.5V、0X9309
BQ769x2_SetRegister (ChgPumpControl、0x00、1)；

//设置电池放电状态的放电电流--0x9310=0x0A-1.0A
BQ769x2_SetRegister (DsgCurrentThreshold、0x0A、1)；
//设置电池充电状态的充电电流-0x9312=0x0A-1.0A
BQ769x2_SetRegister (ChgCurrentThreshold、0x0A、1)；

//设置开路检查时间-0x9314=0x1E-30秒
BQ769x2_SetRegister (CheckTime、0x1E、1)；

//设置电池平衡配置- 0x9335 = 0x03 -处于静置或充电模式时的自动平衡
//另请参阅 TI.com 上的“使用 BQ769x2电池监控器实现电池平衡”文档
BQ769x2_SetRegister (平衡配置、0x03、1)；
//设置电池平衡间隔//0X9339 = 30秒
BQ769x2_SetRegister (CellBalanceInterval、0x1E、1)；
//设置电池平衡最大电池数//0X933A=1
BQ769x2_SetRegister (CellBalanceMaxCells、0x01、1)；
//设置充电期间的电池平衡最小电池电压//0X933B=3600 mV
BQ769x2_SetRegister (CellBalanceMinCellVCharge、3500、2)；
//设置充电过程中的电池平衡最小增量电池电压//0X933D=40mV
BQ769x2_SetRegister (CellBalanceMinDeltaCharge、40、1)；
//设置充电期间的电池平衡最小增量停止电压//0X933e=20mV
BQ769x2_SetRegister (CellBalanceStopDeltaCharge、20、1)；

//关断
//设置堆叠电压//0X9241=60.0V
BQ769x2_SetRegister (ShutdownStackVoltage、600、2)；
//设置堆栈电压低于//9243=20秒时的关断延迟
BQ769x2_SetRegister (LowVShutdownDelay、20、1)；

//设置关断温度//0X9244=70度
BQ769x2_SetRegister (关断温度、70、1)；
//设置关断温度延迟//0X9245=5秒
BQ769x2_SetRegister (ShutdownTemperatureDelay、5、1)；
//设置 FET 关断延迟//0X9252=0表示与 RST 引脚的连接
BQ769x2_SetRegister (FETOffDelay、0、1)；

//设置关闭命令延迟//0X9253= 8*.25Second 表示与 RST 引脚的连接
BQ769x2_SetRegister (ShutdownCommandDelay、8、1)；/2秒
//自动关断时间//9254=50mA
BQ769x2_SetRegister (自动关断时间、15、1)；

//SLEEP 电流//9248=50mA
BQ769x2_SetRegister (SlepCurrent、50、2)；

//睡眠电压时间//924A=60秒
BQ769x2_SetRegister (VoltageTime、60、1)；

//睡眠唤醒比较器电流//924B=500mA
BQ769x2_SetRegister (WakeComparatorCurrent、500、2)；

//SLEEP HYS 时间//924D=60秒
BQ769x2_SetRegister (Slep滞后 时间、60、1)；

//休眠充电器电压阈值//924E=2000 //2000 * 10mV
BQ769x2_SetRegister (SlepChargerVoltageThreshold、2000、2)；




//设置 CUV (欠压)阈值- 0x9275 = SetCellUnderVoltage[3](2000)
// CUV 阈值是该值乘以50.6mV
tempRegValue=SetCellUnderVoltage[3]；
tempRegValue=(tempRegValue*10)/506+.5；
BQ769x2_SetRegister (CUVThreshold、(uint8_t) tempRegValue、1)；

//CUV 延迟//9276=74 /250.8MS
BQ769x2_SetRegister (CUVDelay、74、2)；
//CUV 恢复 HYS //927B=4//4*50.6mV
BQ769x2_SetRegister (CUVRecovery滞后、4、2)；

//设置 COV (过压)阈值- 0x9278 = SetCellOverVoltage[3](3900mV)
// COV 阈值是该值乘以50.6mV
tempRegValue=SetCellOverVoltage[3]；
tempRegValue=(tempRegValue*10)/506；
BQ769x2_SetRegister (COVThreshold、(uint8_t) tempRegValue、1)；
//延迟0x9278=74 (250.8ms)
BQ769x2_SetRegister (COVDelay、74、2)；
//设置 COV 恢复 HYS//0X927C=5//5*50.6
BQ769x2_SetRegister (COVRecovery滞后、5、1)；

//设置 PACK-Tos 增量电压- 0x92B0 = 200//200*10mV
BQ769x2_SetRegister (OCCPACKTOSDelta、200、2)；

//设置 OCC (充电中的过流)阈值- 0x9280 = 0x26 (1.25m Ω 检测电阻上的125mV = 100A)单位(以2mV 为单位)
BQ769x2_SetRegister (OCCThreshold、0x26、1)；
//设置 OCC (充电过流)延迟- 0x9281 = 0x1E (29*3.3+6.6ms)//102ms
BQ769x2_SetRegister (OCCDelay、0x1D、1)；

//设置 OCD1阈值- 0x9282 = 16 (1.25m Ω 检测电阻上32mV = 40A) 2mV 单位
BQ769x2_SetRegister (OCD1Threshold、16、1)；
//设置 OCD1延迟- 0x9283 = 127 //127*3.3+6.6 Ms
BQ769x2_SetRegister (OCD1Delay、127、1)；

//设置 OCD2阈值- 0x9284 = 24 (1.25m Ω 检测电阻上的48mV = 60A)单位为2mV
BQ769x2_SetRegister (OCD2Threshold、24、1)；
//设置 OCD2延迟- 0x9285 = 28 /28*3.3+6.6 Ms=99mS
BQ769x2_SetRegister (OCD2Delay、28、1)；

//设置 OCD3阈值- 0x928A =-1000 (-1000=100.0 A)
BQ769x2_SetRegister (OCD3Threshold、-1000、2)；
//设置 OCD2延迟- 0x928C = 2//2秒
BQ769x2_SetRegister (OCD3Delay、2、1)；

//设置 OCD 恢复阈值- 0x928D = 200 //
BQ769x2_SetRegister (OCDRecoveryThreshold、200、2)；

//设置 SCD 阈值- 0x9286 = 6 (125A = 1.25m Ω@100A) 6=125mV
BQ769x2_SetRegister (SCDThreshold、0x06、1)；

//µs SCD 延迟- 0x9287 = 7 (105us)启用、延迟为(值- 1)* 15 μ s；最小值为1
BQ769x2_SetRegister (SCDDelay、0x07、1)；

//将 SCDL 锁存限制设置为1，以便仅在卸载时设置 SCD 恢复0x9295 = 0x01
//如果未设置，则 SCD 将根据时间恢复(SCD 恢复时间参数)。
BQ769x2_SetRegister (SCDLLatchLimit、0x01、1)；

//OTC
// OTC 阈值- 0x929A = 50度
BQ769x2_SetRegister (OTCThreshold、50、1)；
// OTC 延迟- 0x929B = 5秒
BQ769x2_SetRegister (OTCDelay、5、1)；

// OTC 恢复- 0x929C = 45度
BQ769x2_SetRegister (OTCRecovery、45、1)；

//OTD
// OTD 阈值- 0x929D = 60度
BQ769x2_SetRegister (OTDThreshold、60、1)；
// OTD 延迟- 0x929E = 5秒
BQ769x2_SetRegister (OTDDelay、5、1)；

// OTC 恢复- 0x929F = 55度
BQ769x2_SetRegister (OTDRecovery、55、1)；


//OTF
// OTF 阈值- 0x92A0 = 70度
BQ769x2_SetRegister (OTFThreshold、70、1)；
// OTF 延迟- 0x92A1 = 5秒
BQ769x2_SetRegister (OTFDelay、5、1)；

// OTC 恢复- 0x92A2 = 60度
BQ769x2_SetRegister (OTFRecovery、60、1)；


//负载检测
// LD 时间0x92B4 = 10秒
BQ769x2_SetRegister (LoadDetectActiveTime、10、1)；
// LD 恢复时间= 50秒
BQ769x2_SetRegister (LoadDetectRetryDelay、50、1)；
// LD 恢复时间= 1小时
BQ769x2_SetRegister (LoadDetectTimeout、1、1)；


//永久失败
//永久故障/深度放电- 0x92C8 = 1500mV
BQ769x2_SetRegister (CUDEPThreshold、1500、2)；
//永久性故障/深度放电- 0x92CA = 5秒
BQ769x2_SetRegister (CUDEPTLEY、5、1)；

// SUV - 0x92CB = 22000mV
BQ769x2_SetRegister (SUVThreshold、2200、2)；
// SUV 延迟- 0x92CD = 5秒
BQ769x2_SetRegister (SUVDelay、5、1)；

// SOV - 0x92CE = 4000mV
BQ769x2_SetRegister (SOVThreshold、4000、2)；
// SOV 延迟- 0x92D0 = 5秒
BQ769x2_SetRegister (SOVDelay、5、1)；

// TOS - 0x92D1 = 500mV
BQ769x2_SetRegister (TOSSThreshold、500、2)；
// TOS 延迟- 0x92D3 = 10秒
BQ769x2_SetRegister (SOVDelay、10、1)；

// SOCC 0x92D4 = 12500mA *10mA
BQ769x2_SetRegister (SOCCThreshold、12500、2)；
// SOCC 延迟- 0x92D6 = 5秒
BQ769x2_SetRegister (SOCCDelay、5、1)；

// SOCD 0x92D7 =-11000mA *10mA
BQ769x2_SetRegister (SOCDThreshold、-11000、2)；
// SOCD 延迟- 0x92D9 = 5秒
BQ769x2_SetRegister (SOCDDelay、5、1)；

// SOT 0x92DA = 65度
BQ769x2_SetRegister (SOTThreshold、65、1)；
// SOT 延迟- 0x92DB = 5秒
BQ769x2_SetRegister (SOTDelay、5、1)；

// SOTF 0x92DC = 85度
BQ769x2_SetRegister (SOTFThreshold、85、1)；
// SOTF 延迟- 0x92DD = 5秒
BQ769x2_SetRegister (SOTFDelay、5、1)；


//永久失败检查电压0x92DE = 3500mV
BQ769x2_SetRegister (VIMRCheckVoltage、3500、2)；

//永久失败检查电流0x92E0 = 3500mV
BQ769x2_SetRegister (VIMRMaxRelaxCurrent、10、2)；

//永久故障 VIMR 0x92E2 = 500mV
BQ769x2_SetRegister (VIMRThreshold、500、2)；

//永久故障 VIMR 延迟0x92E4 = 5
BQ769x2_SetRegister (VIMRDelay、5、1)；


//永久故障 VIMR 放松持续时间0x92E5 = 90秒
BQ769x2_SetRegister (VIMRRelaxMinDuration、90、2)；

//永久性故障 VIMA 0x92E7 = 3700
BQ769x2_SetRegister (VIMRDelay、3700、2)；

//永久故障 VIMA 最小有效电流0x92E9 = 50mA
BQ769x2_SetRegister (VIMAMinActiveCurrent、50、2)；

//永久性故障 VIMA 0x92EB = 200mV
BQ769x2_SetRegister (VIMAThreshold、200、2)；

//永久故障 VIMA 延迟0x92ED = 5秒
BQ769x2_SetRegister (VIMADelay、5、1)；


//永久故障 CFET 关闭0X92EE = 50mA
BQ769x2_SetRegister (CFETFOFFThreshold、50、2)；

//永久故障 CFET 关闭延迟0X92F0 = 5秒
BQ769x2_SetRegister (CFETFOFFDelay、5、1)；

// DFET 永久故障关闭0X92F1 =-50mA
BQ769x2_SetRegister (DFETFOFFThreshold、-50、2)；

//永久故障 DFET 关闭延迟0X92F3 = 5秒
BQ769x2_SetRegister (DFETFOFFDelay、5、1)；

//永久故障 VSSF 0X92F4 = 100
BQ769x2_SetRegister (VSSFFailThreshold、100、2)；

//永久故障 VSSF 延迟0X92F6 = 5秒
BQ769x2_SetRegister (VSSFDelay、5、1)；

//退出 configupdate 模式-子命令0x0092
CommandSubcommands (EXIT_CFGUPDATE)；
｝